浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115841982A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202110925394.1(22)申请日2021.08.12(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人郑孟晟(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师高天华张颖玲(51)Int.Cl.H01L21/762(2006.01)H10B12/00(2023.01)权利要求书2页说明书9页附图6页(54)发明名称浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构(57)摘要本申请实施例提供了一种浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构，该浅槽隔离结构的制备方法包括：提供基底，于基底上形成多个第一沟槽，且第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势；于基底的顶部和多个第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第一隔离层，且第一隔离层位于第一沟槽内的部分形成第二沟槽；第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变；于第一隔离层的表面通过ISSG工艺形成连续的第二隔离层，且第二隔离层位于第二沟槽内的部分将第二沟槽完全填满。这样，由于第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势，可以直接对第一沟槽进行隔离层的填充，不仅简化了浅槽隔离结构的制程，而且提高了该隔离结构的绝缘性能。CN115841982ACN115841982A权利要求书1/2页1.一种浅槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，于所述基底上形成多个第一沟槽，且所述第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势；于所述基底的顶部和多个所述第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第一隔离层，且所述第一隔离层位于所述第一沟槽内的部分形成第二沟槽；其中，所述第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变；于所述第一隔离层的表面通过ISSG工艺形成连续的第二隔离层，且所述第二隔离层位于所述第二沟槽内的部分将所述第二沟槽完全填满。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽的上半部分的最大剖面宽度小于或等于所述第一沟槽的下半部分的最大剖面宽度。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述于所述基底上形成多个第一沟槽，包括：根据预设刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀处理，得到多个所述第一沟槽；其中，所述预设刻蚀工艺包括干法刻蚀和/或湿法刻蚀。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，当所述预设刻蚀工艺为干法刻蚀时，所述预设刻蚀工艺的刻蚀气体至少包括以下的其中一种：六氟化硫SF6、碳氟化合物CFs、氯气Cl2和氩气Ar。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述第一隔离层位于所述第一沟槽内的部分形成第二沟槽时，控制所述第一隔离层的厚度沿垂直方向向下呈减小趋势，以使得所述第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述于所述基底的顶部和多个所述第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第一隔离层，包括：根据预设阶梯覆盖率，利用原子层沉积ALD工艺对形成多个所述第一沟槽后的基底进行沉积处理，得到所述第一隔离层；其中，所述ALD工艺至少包括以下的其中一种：电浆式ALD工艺、触媒ALD工艺和热型ALD工艺。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述预设阶梯覆盖率小于或等于80％。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述ALD工艺的反应压力为0.1～10托，所述ALD工艺的反应温度为300～600摄氏度，所述ALD工艺的反应气体为氧气，所述ALD工艺的气体流速为0.1～10升/分钟。9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述于所述第一隔离层的表面通过ISSG工艺形成连续的第二隔离层，包括：利用ISSG工艺对形成多个所述第二沟槽后的基底进行沉积处理，直至填满多个所述第二沟槽，得到所述第二隔离层。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述ISSG工艺的反应温度为900～1050摄氏度，所述ISSG工艺的反应压力为0.1托～10托。2CN115841982A权利要求书2/2页11.根据权利要求1至10任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一隔离层和所述第二隔离层包括氧化硅。12.一种浅槽隔离结构，其特征在于，包括：基底，包括多个第一沟槽，所述第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势；第一隔离层，位于所述多个第一沟槽的内侧和所述基底的顶部，且所述第一隔离层位于所述第一沟槽内的部分形成第二沟槽，所述第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变；第二隔离层，位于所述第一隔离层的表面，且所述第二隔离层位于所述第二沟槽内的部分将所述第二沟槽完全填满。13.根据权利要求12所述的浅