一种Nor Flash浅槽隔离填充方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939024A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202310012323.1(22)申请日2023.01.05(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人申红杰张贵军薛立平谈娟杜怡行(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211专利代理师戴广志(51)Int.Cl.H01L21/762(2006.01)H01L21/311(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种NorFlash浅槽隔离填充方法(57)摘要本申请公开了一种NorFlash浅槽隔离填充方法，属于半导体器件及制造领域。该方法中，在介质填充工艺中插入SiCoNi蚀刻工艺，实现将浅沟槽隔离结构淀积过程中存在的孔洞消除，再进行全填充至需求厚度；且SiCoNi蚀刻工艺类似各向同性刻蚀，因此SiCoNi蚀刻工艺之后沟槽轮廓仍然是“V”型，适应了该工序效果。CN115939024ACN115939024A权利要求书1/1页1.一种NorFlash浅槽隔离填充方法，其特征在于，所述方法包括：形成浅沟槽隔离结构；对所述浅沟槽隔离结构进行部分淀积；进行SiCoNi蚀刻工艺；对所述浅沟槽隔离结构进行介质填充至需求厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成浅沟槽隔离结构之前，所述方法还包括：提供一衬底；在所述衬底内形成有源区；刻蚀所述有源区形成浅沟槽；在所述衬底的表面形成氧化层和氮化层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成浅沟槽隔离结构，包括：部分去除所述氧化层和所述氮化层形成所述浅沟槽隔离结构。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述浅沟槽隔离结构进行介质填充至需求厚度之后，所述方法还包括：对所述浅沟槽隔离结构进行退火工艺。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述浅沟槽隔离结构进行介质填充至需求厚度之后，所述方法还包括：对所述浅沟槽隔离结构进行CMP工艺。2CN115939024A说明书1/3页一种NorFlash浅槽隔离填充方法技术领域[0001]本申请涉及半导体器件及制造领域，具体涉及一种NorFlash浅槽隔离填充方法。背景技术[0002]当NorFlash(非易失闪存技术)线宽收缩到更小节点时，X方向上的最高点会下降,浅槽隔离(ShallowTrenchIsolation，STI)沟槽的填充问题面临挑战。[0003]4XNorFlash的STITrench采用普通高深宽比制程(HighAspectRatioProcess，HARP)填充，通过TEOS与O3的热化学反应生成填充介质物，由于独特的浅沟槽隔离结构—氮化层厚度大尺寸小且沟槽中间存在台阶—使得使用单纯HARP填充沟槽的工艺能力不足，导致STI存在较多孔洞(Void)，其会影响器件漏电、可靠性等性能，严重影响产品良率。发明内容[0004]本申请提供了一种NorFlash浅槽隔离填充方法，可以解决相关技术中的上述问题。[0005]本申请实施例提供了一种NorFlash浅槽隔离填充方法，包括：[0006]形成浅沟槽隔离结构；[0007]对所述浅沟槽隔离结构进行部分淀积；[0008]进行SiCoNi蚀刻工艺；[0009]对所述浅沟槽隔离结构进行介质填充至需求厚度。[0010]可选的，所述形成浅沟槽隔离结构之前，所述方法还包括：[0011]提供一衬底；[0012]在所述衬底内形成有源区；[0013]刻蚀所述有源区形成浅沟槽；[0014]在所述衬底的表面形成氧化层和氮化层。[0015]可选的，所述形成浅沟槽隔离结构，包括：[0016]部分去除所述氧化层和所述氮化层形成所述浅沟槽隔离结构。[0017]可选的，所述对所述浅沟槽隔离结构进行介质填充至需求厚度之后，所述方法还包括：[0018]对所述浅沟槽隔离结构进行退火工艺。[0019]可选的，所述对所述浅沟槽隔离结构进行介质填充至需求厚度之后，所述方法还包括：[0020]对所述浅沟槽隔离结构进行CMP工艺。[0021]本申请技术方案，至少包括如下优点：[0022]本发明提供了一种NorFlash浅槽隔离填充方法，在介质填充工艺中插入SiCoNi蚀刻工艺，实现将浅沟槽隔离结构淀积过程中存在的孔洞消除，再进行全填充至需求厚度；3CN115939024A说明书2/3页且SiCoNi蚀刻工艺类似各向同性刻蚀，因此SiCoNi蚀刻工艺之后沟槽轮廓仍然是“V”型，适应了该工序效果。附图说明[0023]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实