微机电装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102145874A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102145874A(43)申请公布日2011.08.10(21)申请号201010117019.6(22)申请日2010.02.09(71)申请人立积电子股份有限公司地址中国台湾台北市(72)发明人刘慈祥(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人陈小雯(51)Int.Cl.B81C1/00(2006.01)B81C3/00(2006.01)B81B7/02(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图7页(54)发明名称微机电装置及其制造方法(57)摘要本发明公开一种微机电装置及其制造方法，包括提供一半导体基板，其包括半导体层与内连结构。接着，形成一保护层与一光致抗蚀剂层在内连结构之上，并在光致抗蚀剂层内形成露出保护层一部的多个开口，且去除为开口所露出的保护层及其下方的内连结构，以形成多个第一沟槽。部分去除为第一沟槽所露出的半导体层，以在半导体层内形成多个第二沟槽。以及贴附一上盖基板于保护层以形成复合基板，薄化复合基板内的半导体层，留下经薄化的半导体层。最后部分去除经薄化的半导体层并形成一第三沟槽，以在第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽之间的一区域内形成了悬浮的微加工结构。CN1024587ACCNN110214587402145876A权利要求书1/2页1.一种微机电装置的制造方法，包括：提供一半导体基板，包括一半导体层以及位于该半导体层上的一内连结构；依序形成一保护层与一光致抗蚀剂层于该内连结构之上；在该光致抗蚀剂层内形成多个开口，该些开口分别露出该保护层的一部；施行一第一蚀刻程序，以该光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，去除为该些开口所露出的该保护层及其下方的该内连结构，以形成露出该半导体层的一部的多个第一沟槽；去除该光致抗蚀剂层并露出该保护层；施行一第二蚀刻程序，以该保护层作为蚀刻掩模，部分去除为该些第一沟槽所露出的该半导体层，以在该半导体层内形成多个第二沟槽；提供一上盖基板，贴附于该保护层以形成一第一复合基板；薄化该第一复合基板内的未设置有该些第二沟槽的该半导体层的一表面，留下一经薄化的半导体层；以及施行一第三蚀刻程序，部分去除该经薄化的半导体层以于其内形成一第三沟槽，其中该第三沟槽露出并连接了该些第二沟槽，且该些第一沟槽、该些第二沟槽与该第三沟槽之间的一区域内定义形成了一悬浮的微加工结构。2.如权利要求1所述的微机电装置的制造方法，还包括：施行一第一切割程序，部分去除该上盖基板、该保护层以及该介电层的一部，以露出该内连结构内的一焊垫；提供一下盖膜层，贴附于设置有该第三沟槽的该经薄化的半导体层的表面，以形成一第二复合基板；以及实施一第二切割程序，以切割该第二复合基板并形成包括该悬浮的微加工结构与该焊垫的一微机电装置。3.如权利要求1所述的微机电装置的制造方法，其中该内连结构包括一介电层与多个导电层，而该保护层与该介电层具有相近的蚀刻选择比。4.如权利要求3所述的微机电装置的制造方法，其中该悬浮的微加工结构包括由该介电层与该些导电层所组成的一感测电容器。5.如权利要求1所述的微机电装置的制造方法，其中该第一蚀刻程序为反应离子蚀刻程序，该第二蚀刻程序为深反应离子蚀刻程序，该第三蚀刻程序为深反应离子蚀刻程序。6.如权利要求1所述的微机电装置的制造方法，其中该上盖基板包括硅或玻璃，该下盖膜层为一芯片附加薄膜。7.如权利要求2所述的微机电装置的制造方法，其中该第一切割程序为激光切割程序或机械切割程序，该第二切割程序为一晶片切割程序。8.如权利要求2所述的微机电装置的制造方法，其中该上盖基板、该半导体基板与该下盖膜层之间形成了一密闭空室。9.一种微机电装置，包括：半导体基板，包括一半导体层以及位于该半导体层上的一内连结构，其中该半导体层具有相对的第一侧与第二侧，而该内连结构设置于该半导体层的该第一侧的一表面上；保护层，设置于该内连结构之上；多个第一沟槽，分隔地设置于该保护层、该内连结构与该半导体层的一部内；2CCNN110214587402145876A权利要求书2/2页上盖基板，设置于该保护层之上；第二沟槽，设置于该半导体层的第二侧的一部内，其中该第二沟槽露出并连接了该些第一沟槽，而在该些第一沟槽、该些第二沟槽与该第三沟槽所定义形成的一区域内的该保护层、该内连结构与该半导体层形成了一悬浮的微加工结构；以及下盖膜层，贴附于该半导体层的该第二侧的表面上，其中该些第一沟槽与该第二沟槽在该上盖基板、该半导体基板与该下盖膜层之间形成了一密闭空室。10.如权利要求9所述的微机电装置，其中该内连结构包括一焊垫，而该上盖基板与该保护层部分覆盖该内连结构但不覆盖该焊垫。11.如权利要求9所述的微机电装置，其中该上盖基板包括玻璃或硅，该下盖膜层