样片去胶装置及方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102338993A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102338993A(43)申请公布日2012.02.01(21)申请号201010238028.0(22)申请日2010.07.27(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号(72)发明人王磊景玉鹏(74)专利代理机构北京市德权律师事务所11302代理人王建国(51)Int.Cl.G03F7/32(2006.01)G03F7/30(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称样片去胶装置及方法(57)摘要本发明公开了样片去胶装置包括：用于提供超纯去离子水的去离子水储罐、用于对所述超纯去离子水加热，使其成为水蒸气和去离子水的混合流体的热交换器及使用所述混合流体对样片进行去胶的去胶腔室；所述去离子水储罐的出口与所述热交换器的入口连接；所述热交换器的出口与所述去胶腔室的入口相连。本发明还提供样片去胶方法包括：形成水蒸气和去离子水的混合流体；及使用所述混合流体对样片进行去胶。通过本发明将无机碳化厚层和底部有机光刻胶以及固化后的光刻胶全部去除。去胶效率较高，无残留物，薄膜材料的损失最小化。CN102389ACCNN110233899302339006A权利要求书1/1页1.一种样片去胶装置，其特征在于，包括：用于提供超纯去离子水的去离子水储罐、用于对所述超纯去离子水加热，使其成为水蒸气和去离子水的混合流体的热交换器及使用所述混合流体对样片进行去胶的去胶腔室；所述去离子水储罐的出口与所述热交换器的入口连接；所述热交换器的出口与所述去胶腔室的入口相连。2.根据权利要求1所述的去胶装置，其特征在于：所述去离子水储罐的出口依次通过一增压泵、一单向阀与所述热交换器的入口连接。3.根据权利要求1所述的去胶装置，其特征在于，还包括：喷嘴，所述喷嘴为变径空腔结构，其通过旋转接头与所述去胶腔室内壁连接。4.根据权利要求3所述的去胶装置，其特征在于：所述喷嘴能够绕所述旋转接头的轴线360°旋转，按照步进电机式进行移动扫描，且所述喷嘴可拆卸更换；所述喷嘴入口处管路上接有压力计。5.根据权利要求3或4所述的样片去胶装置，其特征在于：所述热交换器的出口通过所述喷嘴将所述混合流体喷射到所述样片；所述热交换器采用哈氏合金制造；所述热交换器管路内部都涂有氟涂层。6.根据权利要求1所述的去胶装置，其特征在于，还包括：恒温加热装置，用于保持所述热交换器的恒定温度。温度显示和控制装置，用于调整所述恒温加热装置的温度并实时显示。7.权利要求1、2、3、4或6任一项所述的去胶装置，其特征在于：所述去胶腔室设置有用于固定样片的托盘，所述托盘能够水平旋转或者与水平成一角度倾斜。8.一种样片去胶方法，其特征在于，包括：形成水蒸气和去离子水的混合流体；及使用所述混合流体对样片进行去胶。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成水蒸气和水的混合流体之前还包括：对超纯去离子水进行加热，使超纯部分去离子水变成水蒸气。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述加热的温度为100～500℃；所述去胶的压力为0.1～7MPa。2CCNN110233899302339006A说明书1/2页样片去胶装置及方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种样片去胶装置及方法。背景技术[0002]在现代CMOS器件中，几乎所有衬底结构都是经由离子注入形成的。高能离子会损伤光刻胶，使其变得很难去除。在注入之后，这些离子会以氧化层、次氧化层或有机化合物等形式存在。这些高能离子还会使光刻胶表面变成一种金刚石型与石墨型混合的碳质层。因此碳化工艺使得注入光刻胶的去除变得很具挑战性。对于硅上的注入光刻胶去除，可以使用碱性或酸性氟基溶液实现，但是会造成对底层硅的损耗；也可以使用等离子体去胶技术，但是非均匀等离子体产生的电荷会损伤晶圆表面的敏感结构。发明内容[0003]本发明的目的之一是提供一种对注入表面的硅原子损耗较低的样片去胶装置及方法。[0004]根据本发明的一个方面，提供一种样片去胶装置包括：用于提供超纯去离子水的去离子水储罐、用于对所述超纯去离子水加热，使其成为水蒸气和去离子水的混合流体的热交换器及使用所述混合流体对样片进行去胶的去胶腔室；所述去离子水储罐的出口与所述热交换器的入口连接；所述热交换器的出口与所述去胶腔室的入口相连。[0005]根据本发明的一个方面，提供一种样片去胶方法包括：[0006]形成水蒸气和去离子水的混合流体；及[0007]使用所述混合流体对样片进行去胶。[0008]根据本发明提供的样片去胶装置及方法，可以将无机碳化厚层和底部有机光刻胶以及固化后的光刻胶全部去除，去胶效率较高，无残留物，薄膜材料的损失最