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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102543843A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102543843A(43)申请公布日2012.07.04(21)申请号201010613383.1(22)申请日2010.12.29(71)申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司地址100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号(72)发明人李凡胡敏达(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人骆苏华(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L21/316(2006.01)H01L21/311(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书55页页附图附图44页(54)发明名称互连结构的制造方法(57)摘要一种互连结构的制造方法,通过在干法刻蚀形成金属导线沟槽和湿法清洗金属导线沟槽中的刻蚀残留物之后,利用含氟的酸性溶液湿法清洗所形成金属导线沟槽开口处的氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层,去除部分氧化硅和氮化钛,进而使得金属导线沟槽的氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层开口宽度与氧化硅保护层下方的低介电常数介质层的开口宽度对应,改善了所形成的金属导线沟槽的形态,利于后续工艺中籽晶层和金属互连线的沉积,提高了所制造半导体器件的性能。CN1025438ACN102543843A权利要求书1/1页1.一种互连结构的制造方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包含内部形成有金属插塞的低介电常数层间介质层,所述半导体衬底上具有形成开口的氮化钛硬掩模层,其中位于所述氮化钛硬掩模层下的半导体衬底部分为氧化硅保护层,所述氮化钛硬掩模层中的开口正对半导体衬底中低介电常数层间介质层内的金属插塞;干法刻蚀所述半导体衬底,以形成暴露出金属插塞的金属导线沟槽,所述金属导线沟槽中氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层在金属导线沟槽开口处横向凸起;利用含氟的酸性溶液湿法清洗所述氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层,以去除部分氧化硅和氮化钛,使氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层的开口宽度与所述金属导线沟槽对应。2.如权利要求1所述的互连结构的制造方法,其特征在于,在半导体衬底中,所述层间介质层和氧化硅保护层之间还形成有氮掺杂碳化硅阻挡层和低介电常数介质层。3.如权利要求1所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述干法刻蚀采用等离子体刻蚀。4.如权利要求1所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述干法刻蚀之后还包含有湿法清洗所述半导体衬底,以去除所述干法刻蚀后的刻蚀残留物。5.如权利要求4所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述去除刻蚀残留物的湿洗溶液为H2O、H2SO4、H2O2和HF的混合溶液。6.如权利要求1所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述利用含氟的酸性溶液湿法清洗氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层包括:将半导体衬底包含氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层的一面朝下并浸入含氟的酸性溶液,所述含氟的酸性溶液浸没氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层;提起所述半导体衬底,将半导体衬底中包含氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层的一面朝上。7.如权利要求6所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述含氟的酸性溶液为HF和H2O的混合溶液。8.如权利要求7所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述HF和H2O的混合溶液中HF和H2O的体积比为1∶50~1∶100,所述HF和H2O的混合溶液的温度范围为23~50摄氏度,湿法清洗时间为0.5~3秒。9.如权利要求6所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述含氟的酸性溶液为NH4F和HF的混合溶液。10.如权利要求9所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述NH4F和HF的混合溶液中NH4F和HF的体积比为10~500∶1,所述NH4F和HF混合溶液的温度范围为23~50摄氏度,湿法清洗时间为0.5~3秒。11.如权利要求6所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述含氟的酸性溶液为NH4F、HF和H2O的混合溶液。12.如权利要求11所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述NH4F、HF和H2O的混合溶液中NH4F、HF和H2O的体积比为7~10∶1~2∶88~130,所述NH4F、HF和H2O的混合溶液的温度范围为23~50摄氏度,湿法清洗时间为0.5~3秒。2CN102543843A说明书1/5页互连结构的制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域,更为具体的,本发明涉及一种互连结构的制造方法。背景技术[0002]半导体制造工艺是一种平面制造工艺,其在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件,并互相连接以具有完整的电子功能。在这一制造过程中,常需要在衬底上形成大量的沟槽,其可通过填充金属形成金属互连结构。[0003]随着半导体器件工艺节点降低到32n