互连结构的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104078415104078415A(43)申请公布日2014.10.01(21)申请号201310105947.4(22)申请日2013.03.28(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人周鸣(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人骆苏华(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书6页说明书6页附图5页附图5页(54)发明名称互连结构的制造方法(57)摘要一种互连结构的制造方法，包括：提供基底，在基底上形成具有第一开口的层间介质层，在第一开口内填充导电层形成第一互连结构，对导电层进行化学机械抛光至所述层间介质层，层间介质层表面具有化学机械抛光残留物；对层间介质层进行紫外线处理，去除层间介质层表面的所述残留物；对层间介质层进行紫外线处理后，在层间介质层上形成多孔介质层；在多孔介质层上形成图形化硬掩膜层，以图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述多孔介质层，在多孔介质层内形成第二开口，第二开口与第一开口相通，在第二开口内填充导电层形成第二互连结构。采用本发明的方法可以提高互连结构的电连接效果，提高互连结构电性连接可靠性。CN104078415ACN104785ACN104078415A权利要求书1/2页1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成具有第一开口的层间介质层，在所述第一开口内填充导电层形成第一互连结构，对所述导电层进行化学机械抛光至所述层间介质层，所述层间介质层表面具有化学机械抛光残留物；对所述层间介质层进行紫外线处理，去除所述层间介质层表面的所述残留物；对所述层间介质层进行紫外线处理后，在所述层间介质层上形成多孔介质层；在所述多孔介质层上形成图形化硬掩膜层，以所述图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述多孔介质层，在多孔介质层内形成第二开口，所述第二开口与第一开口相通，在所述第二开口内填充导电层形成第二互连结构。2.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行紫外线处理的方法包括：用紫外线照射所述层间介质层，所述紫外线的波长为200nm～400nm，紫外照射装置的功率为50W～100W，紫外线对所述层间介质层的照射时间为63s～77s。3.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行紫外线处理的步骤之后，在所述层间介质层上形成多孔介质层的步骤之前还包括步骤：对所述层间介质层进行臭氧处理。4.如权利要求3所述的互连结构的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行臭氧处理在腔室中进行，具体参数包括：腔室气压为0.5torr～7torr,臭氧气体的流量为50sccm～1500sccm,处理的时间为25s～100s，腔室功率为100W～1000W。5.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述在所述层间介质层上形成多孔介质层的方法包括：在所述层间介质层上形成介质层；对所述介质层进行紫外线处理，形成多孔介质层。6.如权利要求5所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述对所述介质层进行紫外线处理的方法包括：采用紫外线照射所述介质层，紫外线的波长范围为200nm～400nm，紫外照射装置的功率为50W～100W，紫外线对所述介质层的照射时间为63s～77s。7.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述第一开口包括通孔或沟槽中的至少一种。8.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述导电层为铜或钨。9.如权利要求3所述的互连结构的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行臭氧处理后，在所述层间介质层上形成多孔介质层之前还包括步骤：在所述层间介质层表面形成阻挡层，所述阻挡层用于防止所述层间介质层中的导电层扩散。10.如权利要求9所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为掺氮的碳化硅。11.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述层间介质层为单层或叠层结构，当所述层间介质层为单层结构时，所述层间介质层的材料为SiO2、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON中的一种；当所述层间介质层为叠层结构时，所述层间介质层为SiO2、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON层任意组合的叠层结构。2CN104078415A权利要求书2/2页12.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述多孔介质层为单层或叠层结构，当所述多孔介质层为单层结构时，所述多孔介质层的材料为SiO2、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON中的一种；当所述多孔介质层为叠层结构时