用于RFID标签的数据存留控制装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103577865103577865A(43)申请公布日2014.02.12(21)申请号201310321024.2(22)申请日2013.07.26(30)优先权数据10-2012-00820402012.07.26KR(71)申请人LS产电株式会社地址韩国京畿道(72)发明人郑喆镐(74)专利代理机构北京金信立方知识产权代理有限公司11225代理人黄威王涛(51)Int.Cl.G06K19/07(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书7页说明书7页附图2页附图2页(54)发明名称用于RFID标签的数据存留控制装置(57)摘要本发明提供了一种用于射频识别标签的数据存留控制装置。所述装置包括：待充电的电容器；对所述电容器进行充电的充电电路；对所述电容器进行放电的放电电路；开关，其接通以将所述充电电路电连接至所述电容器或者将所述放电电路电连接至所述电容器；以及输出电路，其根据基于所述电容器的放电程度所确定的输入电压来输出逻辑高信号或逻辑低信号。CN103577865ACN1035786ACN103577865A权利要求书1/2页1.一种用于射频识别标签的数据存留控制装置，其特征在于所述数据存留控制装置包括：待充电的电容器；对所述电容器进行充电的充电电路；对所述电容器进行放电的放电电路；开关，当所述开关为导通状态时所述开关将所述充电电路电连接至所述电容器或者将所述放电电路电连接至所述电容器；以及输出电路，其根据基于所述电容器的放电程度而确定的输入电压来输出逻辑高信号或逻辑低信号。2.根据权利要求1所述的数据存留控制装置，其中所述输出电路被配置为当响应于所述电容器的放电而确定的输入电压低于阈值电压时输出所述逻辑高信号。3.根据权利要求1所述的数据存留控制装置，其中所述输出电路被配置为当响应于所述电容器的充电而确定的输入电压高于阈值电压时输出所述逻辑低信号。4.根据权利要求2或3所述的数据存留控制装置，其中所述阈值电压为220mV，并且其中所述输出电路被配置为基于所述阈值电压来确定所述逻辑高信号的持续时间。5.根据权利要求1所述的数据存留控制装置，其中所述输出电路包括多个NMOS晶体管和多个PMOS晶体管。6.根据权利要求1所述的数据存留控制装置，其中，当对所述电容器进行充电时所述开关使得所述充电电路和所述电容器彼此电连接，并且当对所述电容器进行放电时所述开关使得所述放电电路和所述电容器彼此电连接。7.根据权利要求6所述的数据存留控制装置，其中，所述开关被配置为NMOS晶体管。8.根据权利要求1所述的数据存留控制装置，进一步包括控制电路，通过接收输入信号和使能信号来控制所述充电电路、所述放电电路以及所述开关的操作。9.根据权利要求8所述的数据存留控制装置，其中，所述控制电路被配置为当所述使能信号为逻辑高信号且所述输入信号是逻辑高信号时控制所述充电电路和所述开关开启。10.根据权利要求8所述的数据存留控制装置，其中，所述控制电路被配置为当所述使能信号为逻辑高信号且所述输入信号是逻辑低信号时控制所述放电电路和所述开关开启。11.根据权利要求8所述的数据存留控制装置，其中所述控制电路包括：第一非门，其连接至所述输入信号的输入端子；缓冲器，其连接至所述使能信号的输入端子；第一与非门，其具有连接至所述第一非门的输出端子的第一输入端子和连接至所述缓冲器的输出端子的第二输入端子；第二与非门，其具有连接至所述缓冲器的输出端子的第一输入端子和连接至所述输入信号的输入端子的第二输入端子，所述第二与非门具有连接至所述充电电路的输出端子；以及第二非门，其具有连接至所述第一与非门的所述输出端子的输入端子和连接至所述放电电路的输出端子。12.根据权利要求1所述的数据存留控制装置，其中，所述充电电路由PMOS晶体管进行配置，并且2CN103577865A权利要求书2/2页其中所述放电电路由NMOS晶体管进行配置。13.一种用于RFID标签的数据存留控制装置，其特征在于所述数据存留控制装置包括：待充电的电容器；对所述电容器进行充电的充电电路；对所述电容器进行放电的放电电路；开关，当所述开关为导通状态时所述开关将所述充电电路电连接至所述电容器或者将所述放电电路电连接至所述电容器；输出电路，其根据基于所述电容器的放电程度而确定的输入电压来输出逻辑高信号或逻辑低信号；以及控制电路，其通过接收输入信号和使能信号来控制所述充电电路、所述放电电路以及所述开关的操作，其中所述充电电路由PMOS晶体管进行配置，其中所述放电电路由NMOS晶体管进行配置，其中所述开关由NMOS晶体管进行配置，其中所述充电电路的漏极端子连接至所述放电电路的漏极端子和所述开关的漏极端子，其中所