光伏装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103681931103681931A(43)申请公布日2014.03.26(21)申请号201310388745.5(22)申请日2013.08.30(30)优先权数据13/6011622012.08.31US(71)申请人通用电气公司地址美国．纽约州(72)发明人D.F.富斯特曹洪波L.A.克拉克R.A.加伯尔S.D.菲尔德曼-皮博迪W.K.梅茨格尔单英辉R.舒巴(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人姜甜汤春龙(51)Int.Cl.H01L31/073(2012.01)H01L31/0352(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书21页说明书21页附图18页附图18页(54)发明名称光伏装置(57)摘要本发明公开一种光伏装置。所述光伏装置包括窗口层和半导体层，所述半导体层包括安置在窗口层上的半导体材料。所述半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域安置在所述窗口层附近，而所述第二区域包括富含硫族元素的区域，其中所述第一区域和所述第二区域包括掺杂剂，并且所述第二区域中的掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中的掺杂剂的平均原子浓度。CN103681931ACN103689ACN103681931A权利要求书1/2页1.一种光伏装置，包括：窗口层；半导体层，所述半导体层包括安置在所述窗口层上的半导体材料，其中所述半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域安置在所述窗口层附近，并且所述第二区域包括富含硫族元素的区域，其中所述第一区域和所述第二区域包括掺杂剂，并且所述第二区域中的所述掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中的所述掺杂剂的平均原子浓度。2.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述第一区域中的所述掺杂剂包括铜、银、金或其组合。3.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述第二区域包括富碲区域。4.根据权利要求3所述的光伏装置，其中所述富碲区域中碲与镉的原子比约比2大。5.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述第二区域中的所述掺杂剂包括铜、银、金或其组合。6.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述第二区域中的所述掺杂剂的平均原子浓度与所述第一区域中的所述掺杂剂的平均原子浓度之间的比率约比10大。7.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述半导体材料包括碲化镉、碲化镁、碲化汞、碲化铅、碲化锌、硒化镉、硒化汞、硒化铅、硒化锌、硫化镉、硫化汞、硫化锌、硫化铅、碲化镉锌、硫碲化镉、碲化镉锰、碲化镉镁或其组合。8.根据权利要求1所述的光伏装置，进一步包括：载体；安置在所述载体上的透明传导层；以及所述窗口层安置在所述透明传导层上。9.根据权利要求8所述的光伏装置，进一步包括背接触层，其中所述半导体层安置在所述窗口层与所述背接触层之间，并且其中所述第二区域安置在所述背接触层附近。10.根据权利要求1所述的光伏装置，进一步包括：载体；所述载体上的背接触层；以及所述半导体层安置在所述背接触层与所述窗口层之间，其中所述第二区域安置在所述背接触层附近。11.一种光伏模块，其包括如权利要求1所述的光伏装置。12.一种光伏装置，包括：窗口层；以及安置在所述窗口层上的半导体层，其中所述半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域安置在所述窗口层附近，其中所述第一区域包括铜，所述第二区域包括富碲区域和铜，以及其中所述第二区域中铜的平均原子浓度大于所述第一区域中铜的平均原子浓度。13.根据权利要求12所述的光伏装置，其中所述富碲区域中碲与镉的原子约比2大。14.根据权利要求12所述的光伏装置，其中所述第二区域中的铜的平均原子浓度与所2CN103681931A权利要求书2/2页述第一区域中的铜的平均原子浓度之间的比率约比10大。15.根据权利要求12所述的光伏装置，其中所述半导体层进一步包括碘，并且所述半导体层中碘的浓度在所述半导层的厚度变化。16.根据权利要求12所述的光伏装置，其中所述半导体材料包括碲化镉、碲化镁、碲化汞、碲化铅、碲化锌、硒化镉、硒化汞、硒化铅、硒化锌、硫化镉、硫化汞、硫化锌、硫化铅、碲化镉锌、硫碲化镉、碲化镉锰、碲化镉镁或其组合。17.一种光伏装置，包括：窗口层；以及安置在所述窗口层上的半导体层，其中当在约65°C的温度以及开路条件下受到一倍太阳辐射强度56天照射后，所述光伏装置的效率相对于初始值降低了约5%以下，归一化串联电阻提高了约1.0ohm-cm2以下。3CN103681931A说明书1/21页光伏装置技术领域[0001]本发明总体上涉及包括半导体层的光伏装置。确切地说，本发明涉及包括半导体层的薄膜光伏装置。背景技术[0002]薄膜光伏装置通常包括安置在透明基片上的多个半导体层，其中第一半导体层用