绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104347399104347399A(43)申请公布日2015.02.11(21)申请号201310317624.1(22)申请日2013.07.25(71)申请人北大方正集团有限公司地址100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层申请人深圳方正微电子有限公司(72)发明人潘光燃石金成王焜文燕高振杰(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人刘芳(51)Int.Cl.H01L21/331(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书4页说明书4页附图6页附图6页(54)发明名称绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法(57)摘要本发明提供一种IGBT制造方法，包括：在N型基片的正面和背面的表面上形成氧化层；形成位于N型基片背面的表面内的缓冲层；在氧化层的表面上形成保护层；去除覆盖在所述N型基片正面上的保护层和氧化层，保留N型基片背面的氧化层和保护层，以保护所述N型基片的背面；形成正面IGBT结构并在其表面上粘贴保护膜，以保护所述正面IGBT结构；去除覆盖在N型基片背面上的保护层和氧化层；形成背面IGBT结构和背面金属层；去除覆盖在所述正面IGBT结构表面上的保护膜。通过本发明提供的IGBT制造方法能够实现对具备双面结构的IGBT的制造。CN104347399ACN104379ACN104347399A权利要求书1/2页1.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法，其特征在于，包括：在N型基片的正面和背面的表面上形成氧化层，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层为覆盖在所述N型基片正面表面上的所述氧化层，所述第二氧化层为覆盖在所述N型基片背面表面上的所述氧化层；通过注入N型杂质并高温扩散，形成位于所述N型基片背面的表面内的缓冲层；在所述第一氧化层和所述第二氧化层的表面上，形成保护层；去除覆盖在所述N型基片正面上的保护层和所述第一氧化层，并保留所述第二氧化层和位于所述第二氧化层表面上的保护层，以保护所述N型基片的背面；根据预设的第一工艺流程，形成位于所述N型基片正面的表面上和表面内的正面IGBT结构，并在所述正面IGBT结构的表面上粘贴保护膜，以保护所述正面IGBT结构；去除覆盖在所述N型基片背面上的所述保护层和所述第二氧化层，以露出所述缓冲层的表面；根据预设的第二工艺流程，形成位于所述缓冲层表面内的背面IGBT结构；根据预设的第三工艺流程，形成位于所述背面IGBT结构表面上的背面金属层；去除覆盖在所述正面IGBT结构表面上的保护膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括氧化层和多晶硅层；所述在所述第一氧化层和所述第二氧化层的表面上，形成保护层，包括：在所述第一氧化层和所述第二氧化层的表面上，依次形成氧化层和多晶硅层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述保护层中的所述氧化层的厚度和所述保护层中的所述多晶硅层的厚度，均不小于2000埃且不大于20000埃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除覆盖在所述N型基片背面的保护层和所述第二氧化层，包括：通过研磨，去除覆盖在所述N型基片背面表面上的保护层和所述第二氧化层；或者，通过干法刻蚀和湿法腐蚀，去除覆盖在所述N型基片背面表面上的保护层和所述第二氧化层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第二工艺流程，形成位于所述缓冲层表面内的背面IGBT结构之后，还包括：去除覆盖在所述正面IGBT结构表面上的保护膜，进行退火工艺；在所述正面IGBT结构的表面上再次粘贴保护膜。6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第二工艺流程，形成位于所述缓冲层表面内的背面IGBT结构，包括：向所述缓冲层的表面注入N型杂质，以形成位于所述缓冲层表面内的N型区域，所述N型区域的深度小于所述缓冲层的深度；在所述N型区域的表面上涂覆光刻胶；通过光刻去除第一预设区域内的光刻胶，以露出所述N型区域的表面，形成窗口；向所述窗口注入P型杂质，以形成位于所述缓冲层表面内的P型区域，所述P型区域的深度小于所述缓冲层的深度；去除覆盖在所述缓冲层表面上的光刻胶。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第三工艺流程，形成位于2CN104347399A权利要求书2/2页所述背面IGBT结构表面上的背面金属层，包括：在所述背面IGBT结构的表面上涂覆光刻胶；通过光刻去除第二预设区域内的光刻胶，以露出所述背面IGBT结构的表面，形成窗口，保留第二预设区域之外的区域的光刻胶；通过蒸发工艺在所述窗口的表面上和所述第二预设区域之外的区域的光刻胶表面上形成金属层；在所述金属层的表面上粘贴粘性膜；揭离所述粘性膜，以