平面型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103413826A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103413826103413826A(43)申请公布日2013.11.27(21)申请号201310347843.4(22)申请日2013.08.09(71)申请人上海北车永电电子科技有限公司地址201203上海市浦东新区蔡伦路1690号3号楼105室(72)发明人刘剑柏涛黄国华(74)专利代理机构上海一平知识产权代理有限公司31266代理人成春荣竺云(51)Int.Cl.H01L29/739(2006.01)H01L29/06(2006.01)H01L21/331(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书5页说明书5页附图4页附图4页(54)发明名称平面型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法(57)摘要本发明涉及半导体器件领域，公开了一种平面型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中，该平面型绝缘栅双极型晶体管包括位于第一半导体类型衬底上的第二半导体类型阱、第一半导体类型掺杂区、第二半导体类型掺杂区和将第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区隔开的绝缘介质埋层；第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区位于第二半导体类型阱中；第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区分别位于绝缘介质埋层的两侧；第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区的掺杂浓度高于第二半导体类型阱的掺杂浓度。该平面型绝缘栅双极型晶体管能从根本上杜绝闩锁现象的产生的可能，极大的改善器件的性能。CN103413826ACN1034826ACN103413826A权利要求书1/2页1.一种平面型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括位于第一半导体类型衬底上的第二半导体类型阱、第一半导体类型掺杂区、第二半导体类型掺杂区和将所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区隔开的绝缘介质埋层；所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区位于所述第二半导体类型阱中；所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区分别位于所述绝缘介质埋层的两侧；所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区的掺杂浓度高于所述第二半导体类型阱的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的平面型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，还包括发射极、栅极和集电极。3.根据权利要求2所述的平面型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘介质埋层为二氧化硅。4.根据权利要求3所述的平面型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘介质埋层的厚度在5nm到20nm之间。5.根据权利要求1至4中任一项所述的平面型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一半导体类型为N型。6.一种平面型绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一半导体类型衬底；生成将第一半导体类型掺杂区和第二半导体类型掺杂区隔开的绝缘介质埋层；生成第二半导体类型阱、所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区，其中，该第一半导体类型掺杂区和该第二半导体类型掺杂区位于该第二半导体类型阱中，该第一半导体类型掺杂区位和该第二半导体类型掺杂区分别位于所述绝缘介质埋层的两侧，且该第一半导体类型掺杂区和该第二半导体类型掺杂区的掺杂浓度高于所述第二半导体类型阱的掺杂浓度。7.根据权利要求6所述的平面型绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述生成将第一半导体重掺杂区和第二半导体重掺杂区隔开的绝缘介质埋层的步骤，还包括以下子步骤：在所述第一半导体衬底上生成一层绝缘介质层；通过光刻和刻蚀工艺，将所述绝缘介质层刻蚀成所述绝缘介质埋层；通过选择性外延工艺，在所述第一半导体衬底上具有所述绝缘介质埋层的面生长半导体外延层，将所述绝缘介质埋层埋在所述半导体外延层的下方。8.根据权利要求7所述的平面型绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：生成发射极、栅极和集电极。9.根据权利要求8所述的平面型绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质埋层为二氧化硅。10.根据权利要求9所述的平面型绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质埋层的厚度在5nm到20nm之间。2CN103413826A权利要求书2/2页11.根据权利要求10所述的平面型绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述半导体外延层为单晶硅。12.根据权利要求6至11中任一项所述的平面型绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一半导体类型为N型。3CN103413826A说明书1/5页平面型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种平面型绝缘栅双极型晶体管技术。背景技术[0002]绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，