绝缘栅双极型晶体管(IGBT)建模及验证方法研究的开题报告.docx
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)建模及验证方法研究的开题报告.docx
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)建模及验证方法研究的开题报告开题报告:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是常用的高功率半导体器件,广泛应用于交流电机控制、变频器和直流-交流逆变器等领域。建立精确的IGBT模型非常重要,可以提高设计效率和节约开发成本。本文旨在研究IGBT建模及验证方法,包括建模的基本原理、验证方法的设计和实验验证。为了建立精确的IGBT模型,需要考虑它的物理特性和电路模型。IGBT主要由N型漏极区、P型阱区和N型源极区组成,与金属机楼相连的为漏极区域,与集电极相连的为源极区域,两者之间隔有绝缘栅
绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法.pdf
本发明提供一种IGBT制造方法,包括:在N型基片的正面和背面的表面上形成氧化层;形成位于N型基片背面的表面内的缓冲层;在氧化层的表面上形成保护层;去除覆盖在所述N型基片正面上的保护层和氧化层,保留N型基片背面的氧化层和保护层,以保护所述N型基片的背面;形成正面IGBT结构并在其表面上粘贴保护膜,以保护所述正面IGBT结构;去除覆盖在N型基片背面上的保护层和氧化层;形成背面IGBT结构和背面金属层;去除覆盖在所述正面IGBT结构表面上的保护膜。通过本发明提供的IGBT制造方法能够实现对具备双面结构的IGBT
绝缘栅双极型晶体管.docx
绝缘栅双极型晶体管IGBT介绍IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变
绝缘栅双极型晶体管的元胞结构以及绝缘栅双极型晶体管.pdf
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管的元胞结构以及绝缘栅双极型晶体管。所述元胞结构包括:衬底;所述衬底表面对置的第一汇流条和第二汇流条;以及设置在第一汇流条和第二汇流条之间的沟槽,所述沟槽同时具有横向和纵向的有效长度。经研究发现,纵向沟槽和横向沟槽里面填充的多晶硅会导致衬底向不同的方向弯曲。上述技术方案在不增加工艺成本的情况下,使沟槽在横向和纵向都具有有效长度,可同时提供压应力和张应力,从而降低衬底的翘曲程度。
绝缘栅双极型晶体管的设计与研究的综述报告.docx
绝缘栅双极型晶体管的设计与研究的综述报告绝缘栅双极型晶体管是常用的一种高频放大器件,它由绝缘栅和P型、N型两个电极组成。本文将针对绝缘栅双极型晶体管的设计、工作原理、优缺点和应用等方面进行深入探讨。一、设计原理绝缘栅双极型晶体管是一种双极型晶体管,其结构与普通双极型晶体管相似,但普通双极型晶体管的控制极为基区,而绝缘栅双极型晶体管的控制极为绝缘栅。由于绝缘栅的出现,它可以有效地降低输入电容和输入电阻。具体来说,绝缘栅的导电材料多为金属或聚合物,其材料厚度非常薄,一般在数百埃(1埃等于10^-10米)左右,