沉积薄膜的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104451593A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.03.25(21)申请号201310444789.5(22)申请日2013.09.23(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人李立春单伟中徐亮(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅李时云(51)Int.Cl.C23C16/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称沉积薄膜的方法(57)摘要本发明提出一种沉积薄膜的方法，对半导体晶圆进行薄膜沉积，先对半导体晶圆表面进行预处理，预处理可以去除残留在半导体晶圆表面的碳聚合物颗粒，之后再进行薄膜沉积，从而能够避免薄膜沉积将碳聚合物颗粒覆盖在薄膜之下形成泡状缺陷。CN104451593ACN104451593A权利要求书1/1页1.一种沉积薄膜的方法，对半导体晶圆进行薄膜沉积，所述方法包括步骤：对所述半导体晶圆的表面进行预处理；在所述半导体晶圆的表面沉积薄膜。2.如权利要求1所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述预处理是将预处理气体进行解离形成电浆，并对半导体晶圆表面进行处理。3.如权利要求2所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述预处理气体为N2O和He混合气体或N2O和N2混合气体。4.如权利要求3所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述N2O的流量范围是1000sccm～10000sccm，所述He的流量范围是2000sccm～10000sccm，所述N2的流量范围是2000sccm～10000sccm。5.如权利要求2所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述预处理时间范围是10s～180s。6.如权利要求2所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述预处理温度范围是350℃～450℃。7.如权利要求1所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，在对所述半导体晶圆的表面进行预处理之前，进行第一暖机处理。8.如权利要求7所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述第一暖机处理时间范围是5s～35s。9.如权利要求2所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，在对所述半导体晶圆的表面进行预处理之后，在所述半导体晶圆的表面沉积薄膜之前，进行第一抽气处理。10.如权利要求9所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述第一抽气处理时间范围是5s～30s。11.如权利要求9所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，在进行第一抽气处理之后，对所述半导体晶圆的表面沉积薄膜之前，进行第二暖机处理。12.如权利要求11所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述第二暖机处理时间范围是5s～35s。13.如权利要求1所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，在所述半导体晶圆的表面沉积薄膜之后，进行第二抽气处理。14.如权利要求13所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述第二抽气处理时间范围是5s～15s。2CN104451593A说明书1/3页沉积薄膜的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种沉积薄膜的方法。背景技术[0002]半导体制造工艺中，通常采用化学气相沉积（ChemicalVaporDeposit,CVD）工艺在半导体晶圆表面沉积薄膜。具体的，是将反应气体解离成电浆形态在反应腔室内进行混合，在半导体晶圆的表面沉积形成固态的薄膜。[0003]请参考图1，图1为现有工艺中沉积薄膜方法的流程图，包括步骤：[0004]S1：暖机处理；[0005]S2：沉积薄膜；[0006]S3：抽气处理。[0007]其中，暖机处理是在半导体晶圆放入反应腔室内之后开始进行通入反应气体、升温等处理，使反应气体的流量、温度等达到稳定状态之后再进行薄膜的沉积，这样能够在进行薄膜沉积时各项反应条件都处于稳定的状态，从而能够形成符合要求的薄膜，接着进行抽气处理，把未反应或反应产生的废气抽出，使反应腔室处于较为洁净的状态，便于进行下次的薄膜沉积。[0008]然而，半导体晶圆通常放置于晶盒之中，晶盒一般采用塑料制成，晶盒会随着时间而老化，老化的晶盒容易剥落出碳聚合物颗粒并落入半导体晶圆表面，请参考图2，半导体晶圆10的表面落有碳聚合物颗粒20，当进行薄膜沉积时，薄膜30会覆盖所述碳聚合物颗粒20，请参考图3，有些细小的碳聚合物颗粒20可能被反应气体的电浆解离，因此薄膜30会出现泡状缺陷（Bubbledefect），当然也会有较大的碳聚合物颗粒20残留在薄膜30之下。[0009]那么如何解决泡状缺陷，便成为本领域技术人员急需解决的技术问题。发明内容[0010]本发明的目的在于提供一种沉积薄膜的方法能够避免泡状缺陷的形成。[0011]为了实现上述目的，本发明提出了一种沉积薄膜的方法，对半导体