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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114606476A(43)申请公布日2022.06.10(21)申请号202011394386.0(22)申请日2020.12.03(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人黄其赞(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294专利代理师孙佳胤(51)Int.Cl.C23C16/34(2006.01)C23C16/56(2006.01)C23C16/52(2006.01)C23C16/455(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称薄膜的炉管沉积方法(57)摘要该发明公开了一种薄膜的炉管沉积方法,所述薄膜的炉管沉积方法包括:提供沉积炉管,所述炉管内的制程腔沿上下方向分为多个制程区域,多个温度控制器分别与多个制程区域一一对应以分别控制多个制程区域的温度;提供衬底,对所述衬底执行薄膜沉积工艺,控制各所述温度控制器,使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定沉积温度呈梯度逐渐递减;执行退火工艺,控制各所述温度控制器,使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定退火温度呈梯度逐渐递增。根据本发明实施例的薄膜的炉管沉积方法,使得炉管内沉积后形成的薄膜的厚度和性能较为一致稳定,提高了产品良率。CN114606476ACN114606476A权利要求书1/1页1.一种薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,包括:提供沉积炉管,所述炉管内的制程腔沿上下方向分为多个制程区域,多个温度控制器分别与多个制程区域一一对应以分别控制多个制程区域的温度;提供衬底,对所述衬底执行薄膜沉积工艺,控制各所述温度控制器,使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定沉积温度呈梯度逐渐递减;执行退火工艺,控制各所述温度控制器,使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定退火温度呈梯度逐渐递增。2.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,各所述制程区域的设定沉积温度的温差范围为2℃‑5℃。3.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,各所述制程区域的设定沉积温度呈等梯度逐渐递减。4.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,各所述制程区域的设定退火温度的温差范围为2℃‑5℃。5.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,各所述制程区域的设定退火温度呈等梯度逐渐递增。6.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,执行薄膜沉积工艺中的设定沉积温度的最大值与执行退火工艺中的设定退火温度的最大值为预定的最高温度。7.根据权利要求6所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,所述预定的最高温度为650℃。8.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,执行薄膜沉积工艺中的设定沉积温度的最小值与执行退火工艺中的设定退火温度的最小值为预定的最低温度。9.根据权利要求8所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,所述预定的最低温度为500℃。10.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,执行退火工艺的时间为120min‑300min。11.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,在执行退火工艺时,还包括向所述炉管内通入惰性气体。12.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,所述薄膜为氮化硅薄膜。13.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,所述薄膜沉积工艺为原子层沉积工艺或低压力化学气相沉积法。14.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,所述薄膜覆盖所述衬底并具有顶表面,所述顶表面为连续的平面,所述薄膜的沉积工艺中,各所述制程区域的设定沉积温度之间具有第一温差;所述薄膜的退火工艺中,各所述制程区域的设定退火温度之间具有第二温差;所述第一温差大于所述第二温差。15.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法,其特征在于,所述衬底上形成有沟槽,所述薄膜形成在所述沟槽的表面并沿所述衬底的表面延伸,所述薄膜的沉积工艺中,各所述制程区域的设定沉积温度之间具有第三温差;所述薄膜的退火工艺中,各所述制程区域的设定退火温度之间具有第四温差;所述第三温差不大于所述第四温差。2CN114606476A说明书1/5页薄膜的炉管沉积方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种薄膜的炉管沉积方法。背景技术[0002]氮化物层在DRAM中的主要用于侧壁隔离、掩蔽杂质离子、支撑以及化学机械研磨的停止层,由于炉管的特殊结构,沉积相同厚度的薄膜,炉管顶部到底部的温度不相同,导致薄膜密度不同,从炉管顶部到底部形成的半导体器件的薄膜在后续的刻蚀过程中,刻蚀速率存在较大的差异,这种差异影响薄膜性能且不利于刻蚀制程的稳定,降低生产良率。发明内容