一种改进的纳米多孔铜薄膜及其制备方法.pdf
是立****92
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一种改进的纳米多孔铜薄膜及其制备方法.pdf
本发明一种改进的纳米多孔铜薄膜,在纳米多孔铜的表面修饰有单层石墨烯。本发明还提供了上述纳米多孔铜薄膜的制备方法,将锰靶材和铜锰合金靶材放入磁控溅射制膜仪腔内的靶位上,将单晶硅片固定到靶位正上方的托盘上,抽真空,设置溅射条件,打开纯锰靶材开始溅射,在硅片上制备得到一层纯锰薄膜,然后打开铜锰靶材开始溅射,在纯锰薄膜上形成一层铜锰合金薄膜,将铜锰合金薄膜进行腐蚀得到纳米多孔铜薄膜,将制备好的纳米多孔铜薄膜泡洗去除表面盐酸残留液,将洗干净的纳米多孔铜薄膜放入石墨烯凝胶中浸泡,然后去除表面浮着的石墨烯凝胶,得到与石
一种微纳米分级多孔铜及其制备方法.pdf
本发明公开的一种微纳米分级多孔铜的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、按一定比例称取铜粉、锰粉和氯化钠颗粒,混粉均匀;步骤2、将步骤1混合均匀的粉末填入模具中,以一定的压力进行压制,保压一定时间;步骤3、将步骤2压制好的试样置于高温管式炉内,以一定的升温速率进行烧结,保温一定时间,随炉冷却后将试样取出,全程通氩气保护;步骤4、将烧结后的试样在砂纸上将其表面打磨光亮,置于恒温水浴的去离子中水浸;步骤5、将水浸后的试样继续在恒温水浴条件下,用盐酸进行脱合金处理,待无明显气泡逸出,脱合金完成,即得到具有两级
一种纳米多孔及纳米多孔花形铜锡合金及其制备方法.pdf
本发明公开了一种纳米多孔及纳米多孔花形铜锡合金的制备方法。该方法先将纯Cu块和纯Sn块按照摩尔比为(100‐X):X的比例称量,然后通过熔炼得到铜锡母合金,其中X为15.5~23;通过熔炼得到铜锡母合金;将所得的铜锡母合金放入管式炉中,在保护气氛下进行退火处理,得到退火态铜锡合金;接着将所得的退火态铜锡合金切成薄片,进行淬火处理;最后将所得淬火样品进行预处理,并采用盐酸氯化铁溶液进行去合金化处理,去合金化时间为10~600分钟,去合金化温度为25~80℃,得到纳米多孔或纳米多孔花形铜锡合金。本发明制备方法
一种制备纳米多孔铜的方法.pdf
本发明一种制备纳米多孔铜的方法,涉及有纳米级孔隙的金属的制造,步骤是:依据目标合金Cu原子百分比为50.00%-Zr原子百分比为42.50%~50.00%(-Al)原子百分比为余量中各元素原子百分数at.%计算所需原料的质量,称取铜片、锆粒和铝块,混合得到母合金原料,然后将该母合金原料置于真空电弧炉中熔炼,制得Cu-Zr(-Al)合金铸锭,然后采用熔炼-甩带设备制备Cu-Zr(-Al)非晶合金条带,再一步去合金化制得纳米多孔金属铜条带,将其清洁后保存在真空度为1×10-1MPa的真空室内,以避免其被氧化,
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本发明涉及纳米多孔铜的制备方法,涉及有孔隙的合金的制造,是一种采用自由脱合金技术制备纳米多孔铜的方法,步骤是:先依据目标合金中各元素的原子百分比:Cu为50.00~55.00%、Hf为40.00~45.00%和其余为铝,称取质量百分比纯度为99.99%的铜片、质量百分比纯度为99.99%的铪粒以及质量百分比纯度为99.99%的铝块,该母合金原料置于真空电弧炉中,熔炼制得Cu-Hf-Al母合金铸锭;再将该母合金铸锭制备Cu-Hf-Al非晶合金条;最后用用低浓度氢氟酸溶液进行去合金化处理制备纳米多孔金属铜条带