终点检测窗及刻蚀反应腔体.pdf
雨巷****彦峰
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终点检测窗及刻蚀反应腔体.pdf
本公开是关于一种终点检测窗及刻蚀反应腔体,应用于终点检测窗的安装中,所述终点检测窗包括:主体,所述主体包括透光部;安装于所述主体上的弹性形变体,所述弹性形变体暴露出所述透光部,且所述弹性形变体至少一处轮廓的边缘位于所述主体的轮廓的边缘外部。本公开通过弹性形变体增强了终点检测窗的安装稳定性,弹性形变体能够起到减震缓冲的作用,减小了终点检测窗由于受到震动而从安装位置掉落的可能,同时弹性形变体在终点检测窗安装位置受损扩大时能够产生形变,减小了终点检测窗掉落的可能,保护了晶片不受损伤,同时提高了刻蚀设备的工作稳定
一种刻蚀反应腔体的清洁方法.pdf
本发明公开了一种刻蚀反应腔体的清洁方法,包括反应腔体和进气单元;清洁方法包括:通入第一工艺气体冲洗进气单元,使进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落;接着通入第二工艺气体,使所述第二工艺气体的等离子体与剥落的第一副产物及所述反应腔体内壁的第一副产物发生反应,以清洗反应腔体的内壁;然后通入第三工艺气体并增加所述第三工艺气体的压力,使所述第三工艺气体的等离子体与进气单元内已剥落和未剥落的第二副产物反应,以清洗进气单元的内壁;最后增加第二工艺气体的压力,与进气单元内未剥落的第一副产物发生反应,以清洗所述进气单元的
半导体刻蚀工艺真空腔体设备及刻蚀方法.pdf
本发明公开了一种半导体刻蚀工艺真空腔体设备,用于半导体生产中的光刻胶剥离,所述刻蚀工艺真空腔体设备的光谱信号采集装置采集预设波长光谱信号,当所述预设波长光谱信号符合预设规则刻蚀工艺真空腔体设备停止光刻胶剥离。本发明还提供了一种半导体刻蚀方法。本发明能将光刻胶完全剥离,避免光刻胶残留或光刻胶过刻蚀对其他器件结构产生破坏,进而避免对器件性能产生影响。
一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法.pdf
本发明提供一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法,其包括:采用刻蚀气体对顶层硅进行刻蚀;在刻蚀过程中,通过刻蚀腔体内的分光光度计检测对应于反应产物的光发射谱的强度来判断反应产物的浓度;当顶层硅被刻蚀完毕刻蚀气体接触到下层掩埋氧化层时,反应产物的浓度会迅速降低;当反应物浓度降低到某一设定值时刻蚀过程自动停止;选用适当比例的混合气体过刻蚀适当时间,保证浅槽隔离底部无硅残留并对底部拐角处进行平滑处理。本发明的方法当刻蚀气体接触到下层掩埋氧化层时,主刻蚀过程及时停止,避免了对SOI的侧向过刻蚀。对于不同顶层硅厚度的
反应离子刻蚀的研究.doc
ADDINCNKISM.UserStyle老反应离子刻蚀的研究摘要:反应离子刻蚀(RIE)是一种物理作用和化学作用共存的刻蚀工艺,兼有离子溅射刻蚀和等离子化学刻蚀的优点,不仅分辨率高,同时兼有各向异性和选择性好的优点,而且刻蚀速率快。通过改变RIE刻蚀参数如:射频功率、腔体压强、气体流量、气体组分等可以调整两种刻蚀过程所占比重。因此,优化刻蚀工艺就是要选择最优的刻蚀参数组合,在减小刻蚀损伤的同时保证光滑的刻蚀表面和一定的刻蚀速率以及方向性。本文归纳总结了常见薄膜的刻蚀优化方法。关键词: