薄膜沉积装置.pdf
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相关资料
薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置.pdf
本申请涉及一种薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置。薄膜沉积方法包括:将基片放入炉管内,炉管包括用于放置基片的第一区段,第一区段具有反应气体的进气口;在第一预设时间内,将对第一区段进行加热的第一加热模块从第一初始温度加热至第一预设温度,第一加热模块包围第一区段;在第二预设时间内,保持第一加热模块持续处于第一预设温度;在第三预设时间内,将反应气体由进气口通入炉管内,且将第一加热模块由第一预设温度升温至第二预设温度,以于放置于第一区段的基片表面形成目标薄膜。本申请可以通过升温过程中的基片边缘与中央的升温速率差异,平衡
薄膜沉积装置.pdf
本发明涉及一种薄膜沉积装置,本发明的薄膜沉积装置包含:气体供给部,其具备至少一个以上的气体供给模块,所述气体供给模块供给包含原料气体与反应气体的多种制程气体及吹扫气体,对残留的所述制程气体或所述吹扫气体进行排气;及基板支撑部,其支撑基板,以可相对于所述气体供给部而移动的方式所具备;且所述基板支撑部执行包含多次分步前进及分步后退的至少一个的循环移动,在进行所述一个循环移动的情况下,所述基板的最初位置与最终位置之间的循环移动距离为所述一个气体供给模块的长度以上。本发明可将薄膜沉积装置的设置面积及体积最小化,进
薄膜沉积装置.pdf
本发明涉及一种薄膜沉积装置,包括:腔室,提供在基板上沉积薄膜的沉积空间;气体供给部,具备至少一个向所述基板供给原料气体与反应气体且排出残留气体的气体供给模块,具备到所述沉积空间的上部;以及基板支撑部,具备到所述沉积空间的下部,安装基板且与所述气体供给部进行相对移动;且所述气体供给模块具备向所述基板供给原料气体的一对原料气体供给通道、及相隔具备到所述一对原料气体供给通道的一侧而向所述基板供给反应气体的反应气体供给通道,且包括在所述一对原料气体供给通道之间排出残留气体的第一排气通道。本发明的薄膜沉积装置在通过
一种薄膜沉积装置.pdf
本发明公开了一种薄膜沉积装置,包括:驱动装置、溅射靶组件、位于溅射靶组件背部的至少一组旋转磁电装置,其中,旋转磁电装置包括传动装置和第一磁铁组;传动装置包括传送带、至少一对与传送带适配并设置于传送带内侧的齿轮,其中齿轮的轴向平行于溅射靶组件的表面;第一磁铁组设置于传送带的外侧;驱动装置,用于驱动齿轮旋转。通过本发明公开的一种薄膜沉积装置,可以能够适当的调试旋转磁电装置的旋转速度,从而使得溅射靶组件表面磁场具有较高覆盖率,提高了溅射靶组件的利用率。
薄膜沉积方法及炉管装置.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种薄膜沉积方法及炉管装置。所述薄膜沉积方法,包括如下步骤:提供一晶圆,所述晶圆位于持续喷射反应气体的晶舟内;对所述晶圆加热,以形成第一膜层于所述晶圆表面,所述第一膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐增大;对所述晶圆降温,以形成沿所述晶圆轴向方向层叠于所述第一膜层表面的第二膜层,所述第二膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐减小。本发明沉积于晶圆表面的薄膜的厚度分布更加均匀,确保了晶圆产品的良率。