光刻胶去除设备及光刻胶去除方法.pdf

本发明提供了一种光刻胶去除设备及光刻胶去除方法。所述光刻胶去除设备，用于去除晶圆边缘处光刻胶，其特征在于，包括用于喷射清洗溶液的喷嘴：所述喷嘴的角度能够调整，使清洗溶液的喷射方向从晶圆的边缘向中心移动；所述喷嘴的喷射速度能够调整；所述喷嘴的喷射范围能够调整。本发明通过设置可调节喷嘴，改变清洗溶液的喷射角度、喷射方向、喷射速度和喷射范围，解决了晶圆边缘处的光刻胶及光刻胶底部填充层堆积的问题，解决了晶圆减薄后低凹处残留的光刻胶及光刻胶底部填充层难以去除的问题。

2023-11-07

10

235KB

光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统.pdf

本申请关于一种用于光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统，涉及芯片制备技术领域。该方法包括：获取表面具有光刻胶，且光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆；将目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；响应于第一指定时长结束，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗；在第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；响应于第二指定时长结束，去除目标晶圆表面残留的第一有机溶剂；通过离心甩干的同时进行气体吹扫的方式对溶剂去除后的目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的目标

2023-07-25

10

1.4MB

光刻胶去除方法.pdf

本公开提供了一些光刻胶去除方法。光刻胶去除方法包括通过残留气体分析仪对正在经受测试等离子体灰化工艺的多个半导体基板模型的每一者的工艺状态进行分析。用于半导体基板模型的测试等离子体灰化工艺使用多个测试配方；光刻胶去除方法还包括基于残留气体分析仪的分析结果以及至少一个预期的性能标准，选择测试配方的其中一者作为工艺配方。此外，光刻胶去除方法包括根据工艺配方，在半导体基板上进行等离子体灰化工艺，以从半导体基板上去除光刻胶层。

2023-11-14

10

1.2MB

光刻胶去除方法及光刻胶重制方法.pdf

本发明涉及光刻胶去除方法及光刻胶重制方法，涉及半导体集成电路的制造技术，在光刻胶去除过程中，首先使用含氧的气体对光刻胶层进行第一次等离子体刻蚀，去除晶圆表面一定高度的光刻胶，并在晶圆表面保留一定高度的光刻胶，然后使用含氢的气体对剩余的光刻胶层进行第二次等离子体刻蚀，将剩余的光刻胶层全部去除，如此兼具了使用含氧的气体对光刻胶层进行等离子体刻蚀工艺和使用含氢的气体对光刻胶层进行等离子体刻蚀工艺的优点，而避免缺陷产生，进而提高半导体器件的良率。

2023-11-14

10

465KB

光刻胶的去除方法.pdf

本发明公开了光刻胶的去除方法，包括以下步骤：（1）使用湿法刻蚀去除光刻胶；（2）使用酸溶液洗涤光纤面板的光刻胶残留；（3）加热碱溶液，使用碱溶液洗涤；（4）将使用碱溶液洗涤完的光纤面板放入水中，持续通入臭氧；（5）加入氯水；（6）使用有机溶剂浸泡。本发明能够分别去除光刻胶表层和底层部分，彻底去除光纤面板上的光刻胶。

2023-11-22

10

200KB