一种横向MOSFET器件的制造方法.pdf

本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为：通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤，使注入的离子与硅反应形成U型介质层，同时在介质层表面仍保留有单晶硅层，接着在单晶硅层表面通过外延技术得到用于器件制造的单晶硅半导体层，提供器件有源区的单晶硅层，实现了一种槽型横向半导体器件的工艺制造。本发明的工艺有以下优点：本发明可以在介质层薄膜上得到单晶硅材料，避免了多晶硅作为有源区带来的泄漏电流大、击穿电压低以及工艺重复性差等不足。

2023-11-21

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一种MOSFET器件及其制造方法.pdf

本发明公开了一种MOSFET器件及其制造方法，涉及半导体集成电路制造技术领域，该MOSFET器件的制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底的表面制作包含有第一预设数量的P+柱的外延层；在所述外延层表面的栅极区域的各个所述P+柱之间制作第二预设数量的P‑柱，使得所述栅极区域的各个所述P+柱之间通过各个所述P‑柱连接；在所述外延层的表面制作栅氧化层，在所述栅氧化层表面淀积多晶硅形成多晶硅层，刻蚀所述多晶硅层；制作所述MOSFET器件的金属层，得到MOSFET器件；当MOSFET的体二极管处于反向恢复状态时，该P+

2023-05-25

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沟槽栅MOSFET器件的制造方法.pdf

公开了一种沟槽栅MOSFET器件的制造方法，包括：在衬底上形成外延层，衬底包括第一区域和第二区域；在外延层中形成沟槽；在第一区域的沟槽底部和外延层表面中形成第一阱区和体区；在外延层的表面和沟槽中形成第一绝缘层，第一绝缘层围绕沟槽形成空腔；在空腔中形成多晶硅层，去除多晶硅层的一部分暴露空腔的上部；对第一绝缘层回蚀刻，暴露沟槽上部；在沟槽上部侧壁表面和第一绝缘层与多晶硅层的上表面形成栅氧化层；在凹槽中形成栅极导体；在体区中形成源区。本申请的沟槽栅MOSFET器件的制造方法中，在第一区域的沟槽底部形成第一阱区的

2024-01-09

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一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法.pdf

本发明提供一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法，控制栅制备包括：控制栅与分离栅之间的介质层形成后，热生长牺牲氧并淀积氮化硅，其中氮化硅与硅层通过上述牺牲氧隔离开；淀积氧化层并回刻至低于MESA区氮化硅上表面，使用MASK刻蚀氧化层及氮化硅后槽内保留一定垂直高度的氮化硅；淀积氧化层并采用CMP与湿刻结合的方式去除部分氧化层，至其界面与分离栅上界面保持一定距离后刻蚀剩余氮化硅；淀积多晶并回刻形成控制栅。本发明所述方法采用氮化硅层屏蔽氧化层刻蚀的方式，形成下部分较窄的控制栅，所述控制栅工艺上易实现，同时减小

2023-11-07

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一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法.pdf

本发明公开了一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法。该方法包括在外延层的上侧长场氧层；采用干法刻蚀工艺在所述场氧层上刻蚀形成用以制作体区的第一注入口，并保留刻蚀操作留下的对位标记；在第一注入口内的外延层上侧生长掩蔽层，通过第一注入口对外延层进行体区注入操作和体区推阱操作，以在有源区的外延层内制作形成体区；在掩蔽层和场氧层的上侧涂抹一层光刻胶，以刻蚀形成第一注入口时保留的对位标记进行对位，并对光刻胶进行曝光，以在光刻胶上光刻形成用以制作源区的第二注入口。本发明最大限度的保证了源区与体区对位关系的准确性以及

2023-11-06

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