一种硅晶片清洗剂及其制备方法.pdf
明轩****la
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一种硅晶片清洗剂及其制备方法.pdf
本发明提供一种硅晶片清洗剂,涉及硅晶片领域,所述硅晶片清洗剂包括重量份数的如下组分:20?30份的基底材料,10?15份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚,6?10份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚,2?5份的杀菌剂,2?5份的二乙二醇、1?3份的消泡剂、5?8份的硅酸盐类抗氧化剂和30?40份的纯水;此外,还提供了硅晶片清洗剂的制备方法,包括:加入低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚和高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚,搅拌至均匀,得到基底溶液;向基底溶液中边搅拌边加入纯水;向反应容器中加入剩余材料,搅拌均匀,得到最终成品;通过上
一种蓝宝石晶片清洗剂及其制备方法.pdf
本发明属于宝石晶片加工技术领域,具体涉及一种蓝宝石晶片清洗剂及其制备方法。所述蓝宝石晶片清洗剂包括以下质量份组分:二氧化硅35‑48份、乙醚38‑44份、壳聚糖8‑15份、聚乙二醇7‑11份、二硼化钛8‑14份、甘油11‑15份、炭黑6‑7份、椰子油6‑9份、茶树油1‑3.5份、表面活性剂4‑7份、去离子水150‑180份。本发明制备得到的清洁剂可祛除蓝宝石基片表面颗粒、金属离子和有机物残留等研磨、抛光过程中留下来的残留物,清洗后无任何可见杂物残留,且本发明的制备方法简单有效,对环境友好,适合工业化生产。
一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用.pdf
一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用,包括如下质量浓度的物质:氢氧化钾0.2‑1.0g/L;硅酸钠0.1‑0.8g/L;焦磷酸钾0.1‑1.0g/L;络合剂0.01‑0.1g/L;渗透剂0.05‑0.5g/L;乳化剂0.05‑0.5g/L;余量为蒸馏水。本发明的配方中不含有任何有机溶剂和氟离子表面活性剂,本发明所制备的清洗试剂特别适用于单晶硅、多晶硅等硅晶片的清洗,清洗表面均匀光洁,无任何花斑、砂粒、研磨料、金属离子及指纹等残留,通过滤纸擦拭,无任何硅粉等物质残留,能极好的满足客户生产需求,且该
一种用于切割硅晶片导轮的制备方法.pdf
本发明属于机械制备技术领域,涉及一种切割设备部件的制备方法,具体涉及一种用于切割硅晶片导轮的制备方法,为了解决现有用于切割硅晶片的导轮的寿命普遍较短,从而需频繁更换导轮的问题,本发明提供了一种用于切割硅晶片导轮的制备方法,由该方法制备的导轮至少包括金属轴芯及金属轴芯上的涂层,涂层上设有线槽,所述方法至少包括涂层的制备,所述涂层为聚氨酯涂层,采用发明所述方法制备的导轮可以连续使用1200-2000小时,使用寿命长,大大提高了生产效率,从而降低了生产成本。
一种适用于硅晶片边抛光的抛光组合物及其制备方法.pdf
本发明涉及一种适用于硅晶片边抛光的抛光组合物及其制备方法,属于化学机械抛光领域。该组合物包括酸性二氧化硅溶胶、多羟基化合物、酸性化合物、碱性化合物、表面活性剂、去离子水。本发明组合物通过磨料与多羟基化合物组合的机械作用、酸性化合物与碱性化合物组合的化学作用以及表面活性剂的润湿保护作用的相互结合,特别实现对硅片边缘的快速,无颗粒残留且外延后无菱锥缺陷的抛光。