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本发明提供一种硅晶片清洗剂,涉及硅晶片领域,所述硅晶片清洗剂包括重量份数的如下组分:20?30份的基底材料,10?15份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚,6?10份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚,2?5份的杀菌剂,2?5份的二乙二醇、1?3份的消泡剂、5?8份的硅酸盐类抗氧化剂和30?40份的纯水;此外,还提供了硅晶片清洗剂的制备方法,包括:加入低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚和高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚,搅拌至均匀,得到基底溶液;向基底溶液中边搅拌边加入纯水;向反应容器中加入剩余材料,搅拌均匀,得到最终成品;通过上述技术方案,解决现有技术中硅晶片清洗剂中涉及到多种包含钠的金属离子,清洗结束后容易产生金属离子残留,从而影响清洗效果的问题。