一种掩膜板及阵列基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105892225A(43)申请公布日2016.08.24(21)申请号201610463838.3(22)申请日2016.06.23(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人合肥京东方光电科技有限公司(72)发明人徐德智(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静黄灿(51)Int.Cl.G03F1/54(2012.01)H01L21/77(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图6页(54)发明名称一种掩膜板及阵列基板(57)摘要本发明提供一种掩膜板及阵列基板。其中掩膜板用以形成阵列基板上绝缘层的图形，所述绝缘层包括有过孔，所述掩膜板包括：对应所述过孔的第一区域，所述第一区域设置有半透光图形。本发明的掩膜板在对应的过孔区域上设置有半透光图形，基于该半透光图形的设计，在对绝缘层过孔区域上方的光刻胶层进行曝光后，可在绝缘层过孔区域上方保留一层厚度较薄的光刻胶图形，该光刻胶图形可以降低刻蚀气体刻蚀程度，从而避免绝缘层过孔区域下方的金属保护层被刻穿，最终导致金属层受到氧化后降低导电性能。CN105892225ACN105892225A权利要求书1/1页1.一种掩膜板，用以形成阵列基板上绝缘层的图形，所述绝缘层包括有过孔，其特征在于，所述掩膜板包括：对应所述过孔的第一区域，所述第一区域设置有半透光图形。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括：除所述第一区域之外的第二区域，所述第二区域上设置有遮光图形，所述半透光图形设置在所述第一区域的中心，所述遮光图形与所述半透光图形间隔既定距离。3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述既定距离为0.5至2微米。4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述半透光图形由多个阵列排布的半透光子图形构成。5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，每个半透光子图形的厚度为1微米。6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述半透光图形完全覆盖所述第一区域，且所述半透光图形的中心部的厚度大于所述半透光图形的边缘部的厚度。7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述半透光图形呈一凸透镜结构，且该凸透镜结构的最大厚度为3-15微米。8.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述半透光图形为阶梯结构，且该阶梯结构的中间部的厚度为3-15微米，边缘部的厚度为1-2微米。9.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述半透光图形的材料为银离子聚集的碱性石英玻璃，且该碱性石英玻璃的银离子聚集度与所述半透光图形的透光率具有对应关系。10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的绝缘层为采用如权利要求1-9中任一项所述的掩膜板制作得到。2CN105892225A说明书1/4页一种掩膜板及阵列基板技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜板及阵列基板。背景技术[0002]在现有的显示装置的制作过程中，需要对绝缘层进行构图形成过孔，以连接位于不同图层的导线、跳线、电极等。以显示装置上的薄膜晶体管为例，薄膜晶体管中的绝缘层的过孔主要作用是将漏极与其他图层的像素电极连接。目前最经济和成熟的漏极材料是铝，但是铝的表面极易被氧化呈Al2O3绝缘层，明显影响了漏极的欧姆接触特性，使薄膜晶体管的器件性能严重劣化。[0003]为了解决此问题，通常在Al表面镀制一层或多层金属阻挡层以阻止Al与氧气接触。常用的阻挡层金属有钼，铬，钒，钕等，要求也具有较好的导电特性。然而在形成过孔的干法刻蚀工艺过程中，为了保证像素电极与漏极接触特性，需要确保过孔位置的绝缘层被完全刻蚀掉，所以工艺上需要过刻。在过刻后，就会出现或多或少的金属阻挡层被刻蚀掉的问题，造成Al直接暴露在外部而生成Al2O3，导致显示装置出现诸如异常显示、亮点等不良现象。[0004]在过孔刻蚀过程中，由于起刻蚀保护作用的光刻胶的边缘处具有一定的坡度角形貌，因此会导致光刻胶边缘部下面的绝缘层难以被刻蚀完整。而目前的解决方法是，加大刻蚀强度，但如此一来会导致过孔的中央位置刻蚀量较大，进而使中央位置下方的金属阻挡层的损失比周边的要多。所以在现有技术中，过孔中央位置更容易出现像素电极与漏极的欧姆接触特性劣化的问题。该问题不仅仅出现在薄膜晶体管上，也适用于对显示装置中其他绝缘层进行过孔刻蚀的场景。发明内容[0005]本发明的目的是解决现有过孔刻蚀技术中，易对过孔区域造成过量刻蚀的问题。[0006]为实现上述目的，一方面，本发明提供一种掩膜板，用以形成阵列基板上绝缘层的图形，所述绝缘层包括有过孔，其中，所述掩膜板包括：[0007]对应所述过孔的第一区域，所述第一区域设置有半透光图形。[000