一种掩膜板和阵列基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106681099A(43)申请公布日2017.05.17(21)申请号201611183429.4(22)申请日2016.12.20(71)申请人厦门天马微电子有限公司地址361101福建省厦门市火炬高新区翔安产业区翔安西路6999号申请人天马微电子股份有限公司(72)发明人沈柏平潘朝煌张沼栋(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人孟金喆胡彬(51)Int.Cl.G03F1/00(2012.01)权利要求书1页说明书6页附图9页(54)发明名称一种掩膜板和阵列基板(57)摘要本发明公开了一种掩膜板和阵列基板。该掩膜板包括相连的第一区和第二区；第一区整体设置遮挡光线；第二区设置包括相对设置的第一端和第二端，第二区的第一端与第一区连接为一体；第二区开设有多条贯穿第一端和第二端的狭缝；狭缝满足W2-W1＝tanα·y；其中，W1为狭缝在第一端的宽度和，W2为狭缝在第二端的宽度和，α为待刻蚀的目标坡面的坡角，y为第一端与第二端的间距。在有机绝缘膜的生产过程中，通过符合设定规则的狭缝的宽度变化控制参与光刻的光强，而光线透过狭缝后的衍射又能使得正对狭缝之间遮挡区域的有机膜层被光照射到，在该有机膜层进行ITO光刻时，光线的入射方向上光刻胶的厚度变小，光刻时能够有效避免光刻胶的残留，改善金属残留提高良品率。CN106681099ACN106681099A权利要求书1/1页1.一种掩膜板，其特征在于，包括第一区和第二区；所述第一区整体设置以遮挡光线；所述第二区设置包括相对设置的第一端和第二端，所述第二区的所述第一端与所述第一区连接为一体；所述第二区开设有多条贯穿所述第一端和所述第二端的狭缝；所述狭缝满足W2-W1＝tanα·y；其中，W1为所述狭缝在所述第一端的宽度和，W2为所述狭缝在所述第二端的宽度和，α为待刻蚀的目标坡面的坡角，y为所述第一端与所述第二端的间距。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述狭缝在第一方向上的宽度之和具备沿第二方向的线性变化；所述第一方向为平行于所述第一端和所述第二端的方向，所述第二方向为垂直于所述第一方向的方向。3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述狭缝在第一方向上的宽度之和具备沿第二方向的梯度变化；所述第一方向为平行于所述第一端和所述第二端的方向，所述第二方向为垂直于所述第一方向的方向。4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述狭缝在第一方向上的宽度之和具备沿第二方向的抛物线变化；所述第一方向为平行于所述第一端和所述第二端的方向，所述第二方向为垂直于所述第一方向的方向。5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述狭缝在所述第一端的宽度等于相邻两条所述狭缝在第一端的间距。6.根据权利要求1-5任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述狭缝的最大宽度小于2μm。7.根据权利要求1-5任一项所述的掩膜板，其特征在于，相邻两条所述狭缝在第二端的间距小于2μm。8.根据权利要求1-5任一项所述的掩膜板，其特征在于，5≤y≤25μm。9.一种阵列基板，所述阵列基板内设置有有机绝缘膜，其特征在于，所述有机绝缘膜由权利要求1-8任一项所述的掩膜板曝光形成，所述掩膜板的第二区曝光所述有机绝缘膜形成坡度。10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述坡度设置于所述有机绝缘膜的边缘。2CN106681099A说明书1/6页一种掩膜板和阵列基板技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜板和阵列基板。背景技术[0002]在制作面板时，为了减少电极阵列与公共电极之间的耦合，以及降低不同半导体材料层(例如数据线所在的半导体材料层和扫描线所在的半导体材料层)之间的耦合，面板中的有机绝缘膜一般都希望具有较大的厚度。[0003]但是有机绝缘膜20的厚度上升的同时会带来各种负面影响，一是AA(AtiveArea，有效显示区域)区的过孔之间的平坦区减少，过孔的倾斜面与电极的表面形成的角度(即Taper角)变大，如图1A所示，Taper角的角度β达到了50°左右；二是有机绝缘膜的挖槽区随着有机绝缘膜的厚度上升，Taper角的角度变大，如图1B所示，在对有机绝缘膜20上覆盖的ITO层21进行光刻时，涂覆在ITO层21上的光刻胶22在光刻时光线入射的方向上，Taper角的倾斜面对应的光刻胶22的厚度(b)大于其它区域光刻胶22的厚度(a)，在倾斜面可能出现光刻胶22的残留，从而导致出现ITO(Indiumtinoxide，氧化铟锡)残留引起短路。发明内容[0004]本发明提供了一种掩膜板和阵列基板，解决了现有技术中有机绝缘膜厚度上升带来的平坦区减少和ITO残留短路的问题。[0005]为实现上述设计，本发明采用以下