低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106128956A(43)申请公布日2016.11.16(21)申请号201610782990.8(22)申请日2016.08.31(71)申请人西安龙腾新能源科技发展有限公司地址710021陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区(72)发明人周宏伟岳玲徐西昌(74)专利代理机构西安新思维专利商标事务所有限公司61114代理人李罡(51)Int.Cl.H01L21/331(2006.01)H01L23/544(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图4页(54)发明名称低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法(57)摘要本发明公开了一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，该方法通过以下步骤实现：在FZ衬底上生长N-外延层;在N-外延层上生长氧化层;通过ringmask湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;通过AAmask光刻有源区，所述AAmask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构。本发明通过ring注入刻蚀氧化层形成的氧化层高度差，做为AAmask和ring注入的对位标记，节省了zeromask及相关的工艺费用。CN106128956ACN106128956A权利要求书1/1页1.一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于，该方法通过以下步骤实现：步骤一：在FZ衬底上生长N-外延层;步骤二：在N-外延层上生长氧化层;步骤三：通过ringmask湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;步骤四：热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;步骤五：通过AAmask光刻有源区，所述AAmask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构。2.根据权利要求1所述的低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，所述氧化层的厚度为3000-5000A。3.根据权利要求1所述的低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，所述保留的氧化层厚度为2500A。4.根据权利要求1所述的低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，所述热氧化层的厚度为1.5um。2CN106128956A说明书1/2页低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法技术领域[0001]本发明属于绝缘栅场效应管制造技术领域，具体涉及一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法。背景技术[0002]高压IGBT的制备材料通常选用低掺杂浓度的区熔衬底Si材料(FZ单晶衬底)，常规的方法是先在衬底上用零层版(Zeromask)刻出对位标记，接着的工艺是生长比较薄的氧化层（padoxide），然后进行终端(ring)注入，这个注入的杂质一般选用Boron；ring注入是会用到光刻版的，这个ring注入的mask是对准前面的零层版；接下来，把padoxide刻蚀掉，热生长1-2um左右的场氧（Fieldoxide），紧接着用有源区光刻版(AAmask)来刻出有源区，同时保留终端的场氧，此时，AAmask是对准的前述zeromask;可见，现有技术多一道zeromask工艺，成本增加，工艺流程增加，整个产品生产周期长。发明内容[0003]有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法。[0004]为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：本发明实施例提供一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，该方法通过以下步骤实现：步骤一：在FZ衬底上生长N-外延层;步骤二：在N-外延层上生长氧化层;步骤三：通过ringmask湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;步骤四：热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;步骤五：通过AAmask光刻有源区，所述AAmask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构。[0005]上述方案中，所述步骤二中，所述氧化层的厚度为3000-5000A。[0006]上述方案中，所述步骤三中，所述保留的氧化层厚度为2500A。[0007]上述方案中，所述步骤四中，所述热氧化层的厚度为1.5um。[0008]与现有技术相比，本发明的有益效果：本发明通过ring注入刻蚀氧化层形成的氧化层高度差，做为AAmask和ring注入的对位标记，