一种N型高效太阳能电池及制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112289895A(43)申请公布日2021.01.29(21)申请号202011573231.3(22)申请日2020.12.28(71)申请人常州时创能源股份有限公司地址213300江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号(72)发明人任常瑞张佳舟绪欣符黎明(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/074(2012.01)H01L31/0288(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种N型高效太阳能电池及制备方法(57)摘要本发明公开了一种N型高效异质结太阳能电池及制备方法，所述N型高效太阳能电池为使用N型硅片制成的N型高效异质结太阳能电池；所述制备方法为先对N型硅片进行吸杂处理，再完成异质结太阳能电池的常规制作；所述吸杂处理包括如下步骤：（1）清洗硅片；（2）硅片正面和背面涂覆或沉积一层吸杂源；（3）将涂覆或沉积有吸杂源的硅片通过链式退火炉进行热处理完成吸杂，在硅片表面形成一层吸杂层；（4）腐蚀去除硅片表面的吸杂层。本发明降低了硅片体内的金属杂质含量，提高了硅片的少子寿命，最终提高了电池的转换效率；使得电池效率分布更集中，提高了产品一致性；降低了电池边缘漏电率，提高了电池良率。CN112289895ACN112289895A权利要求书1/1页1.一种N型高效太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述N型高效太阳能电池为使用N型硅片制成的N型高效异质结太阳能电池；所述制备方法为先对N型硅片进行吸杂处理，再完成异质结太阳能电池的常规制作；所述吸杂处理包括如下步骤：（1）清洗硅片；（2）硅片正面和背面涂覆或沉积一层吸杂源；（3）将涂覆或沉积有吸杂源的硅片通过链式退火炉进行热处理完成吸杂，在硅片表面形成一层吸杂层；（4）腐蚀去除硅片表面的吸杂层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，采用印刷、滚涂、喷涂或者旋涂液态源的方式在所述硅片正面和背面涂覆一层吸杂源。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述液态源为含磷浆料或含硼浆料。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，采用管式扩散炉通入液态源的方式在所述硅片正面和背面沉积一层吸杂源。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述液态源为三氯氧磷或三溴化硼。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，所述链式退火炉的温度为500～800℃，时间为2～20min。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述链式退火炉设置有4～6个温区，每个温区的温度可以设置相同或者不同。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（4）中，采用碱液腐蚀去除硅片表面的吸杂层。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述碱液的质量百分比浓度为1～5%。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述碱液腐蚀的温度为60～65℃，时间为100～300s。11.一种N型高效太阳能电池，其特征在于：所述N型高效太阳能电池根据权利要求1-10中任一项的方法制备而成。12.根据权利要求11所述的N型高效太阳能电池，其特征在于：所述N型高效太阳能电池为N型高效异质结太阳能电池。2CN112289895A说明书1/5页一种N型高效太阳能电池及制备方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种N型高效太阳能电池及制备方法。背景技术[0002]目前全球大多数晶硅太阳能电池都采用传统P型电池的标准制程，但随着高效晶体硅电池制备技术的逐步发展，P型电池在转换效率达到22%以上后，面临着资本及技术投入边际效益率递减效应，转换效率难以再进一步提升。因此，大量的太阳能电池厂家开始将目光放在N型太阳能电池的商业化上，如异质结（HJT）电池和叉指状背接触（IBC）电池，N型硅片的少子寿命相比P型硅片的更高，有利于电池效率的进一步提升。[0003]由于太阳能级的直拉单晶硅棒中的金属杂质，主要是过渡金属杂质的存在会形成深能级复合中心或者金属沉淀，然而异质结太阳能电池工艺流程中无高温过程使金属杂质迁移和分凝，导致硅片金属杂质含量对异质结太阳能电池的效率和良率影响很大。发明内容[0004]发明目的：本发明提出一种N型高效太阳能电池的制备方法，能够降低N型硅片中的金属杂质含量，进一步提升N型硅片的少子寿命，从而提高电池效率。[0005]本发明还提出一种通过上述方法所制备的N型高效太阳能电池。[0006]技术方案：本发明所采用的技术方案是一种N型高效太阳能电池的制备方法，所述N型高效太阳能电池为使用N型硅片制成的N型高效异质结太阳能电池；所述制备方法为先对N型硅片进行吸杂处理，再完成异质结太阳能电池的常规制作；所述吸杂