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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106269707A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201610809854.3(22)申请日2016.09.07(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人合肥京东方光电科技有限公司(72)发明人刘小波金宇苏琦黄文同满志金李亚文(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静刘伟(51)Int.Cl.B08B5/02(2006.01)B08B13/00(2006.01)G03F1/82(2012.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称一种掩膜版的清洁方法及清洁装置(57)摘要本发明提供一种掩膜版的清洁方法及清洁装置。其中,清洁方法包括:检测步骤,确定掩膜版上的残留污渍的位置信息;清洁步骤,根据所述位置信息,对掩膜版上的残留污渍进行光照使该残留污渍得到分解,采用离子风去除掩膜版上的残留污渍。在正常清洁掩膜版后,依然会存在一些残留污渍。一般情况下,这些残留污渍是技术人员在操作掩膜版的过程中所留下指纹等油性污渍,本实施例的清洁方法先对这些残留污渍进行定位,之后根据定位结果对残留污渍进行精确地光照,使残留污渍在掩膜版上分解后松动,从而能够进一步利用离子风将松动后的残留污渍从掩膜版吹落,以达到清洁效果。CN106269707ACN106269707A权利要求书1/2页1.一种掩膜版的清洁方法,其特征在于,包括:检测步骤,确定掩膜版上的残留污渍的位置信息;清洁步骤,根据所述位置信息,对掩膜版上的残留污渍进行光照使该残留污渍得到分解,采用离子风去除掩膜版上的残留污渍。2.根据权利要求1所述的清洁方法,其特征在于,包括:在所述检测步骤之前,使用离子风对掩膜版进行清洁。3.根据权利要求1所述的清洁方法,其特征在于,所述清洁步骤包括:使用极紫外光对掩膜版上的残留污渍进行照射,使该残留污渍得到分解。4.根据权利要求1所述的清洁方法,其特征在于,所述检测步骤包括:对所述掩膜版进行光学扫描;根据所述掩膜版在光学扫描中反馈的干涉状况,确定所述掩膜版上残留污渍的位置信息。5.根据权利要求1所述的清洁方法,其特征在于,所述掩膜版划分为多个检测区域;所述检测步骤包括:获取每个检测区域的检测图像;根据所述检测图像与预设的标准图像进行比对,确定出存在残留污渍的检测区域;将存在残留污渍的检测区域的坐标作为所述位置信息。6.根据权利要求1-5所述的清洁方法,其特征在于,还包括:在所述清洁步骤完成后,确定掩膜版上是否存在残留污渍,如果掩膜版存在残留污渍,则重新执行所述检测步骤和清洁步骤。7.一种掩膜版的清洁装置,其特征在于,包括:检测模块,用于确定掩膜版上的残留污渍的位置信息;清洁模块,用于根据所述位置信息,对掩膜版上的残留污渍进行光照使该残留污渍得到分解,采用离子风去除掩膜版上的残留污渍。8.根据权利要求7所述的清洁装置,其特征在于,还包括:设置在掩膜版清洗位置的夹具模块,用于水平放置所述掩膜版,且所述夹具模块能够夹持所述掩膜版相对于水平面进行360°的旋转。9.根据权利要求7所述的清洁装置,其特征在于,还包括:驱动模块,用于控制所述检测模块以及清洁模块进行工作,包括:在控制所述检测模块确定掩膜版上的残留污渍的位置信息前,控制所述清洁模块使用离子风对掩膜版进行清洁。10.根据权利要求7-9任一项所述的清洁装置,其特征在于,所述检测模块包括:光探测器阵列,用于对所述掩膜版进行光学扫描,获取所述掩膜版在光学扫描中反馈的干涉状况;第一处理器,用于根据所述干涉状况,确定所述掩膜版上残留污渍的位置信息。2CN106269707A权利要求书2/2页11.根据权利要求7-9任一项所述的清洁装置,其特征在于,所述掩膜版划分为多个检测区域;所述检测模块还包括:图像传感器阵列,用于获取每个检测区域的检测图像;第二处理器,用于根据所述检测图像与预设的标准图像进行比对,确定出存在残留污渍的检测区域,并将存在残留污渍的检测区域的坐标作为所述位置信息。3CN106269707A说明书1/5页一种掩膜版的清洁方法及清洁装置技术领域[0001]本发明涉及显示面板膜层的制作领域,特别是一种掩膜版的清洁方法及清洁装置。背景技术[0002]显示领域,曝光是TFT面板制作中最重要的环节。曝光实现了掩膜版掩膜版上图形向光刻胶PR的转移,PR形成图案后,对基板上的膜层进行相应的刻蚀,膜层上就有了图形。[0003]掩膜版掩膜版是曝光中重要的工具,掩膜版掩膜版的好坏决定后续TFT基板上电路的好坏。随着掩膜版掩膜版使用时间变长,其表面会沉积肉眼可见以及不可见的污渍。随着曝光设备的老化,掩膜版掩膜版表面甚至会沉积油性污渍,导致图形转移到基板上