一种砷化镓衬底的化学抛光方法.pdf
雨巷****凝海
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一种砷化镓衬底的化学抛光方法.pdf
本发明涉及一种砷化镓衬底的化学抛光方法,首先将减薄后的砷化镓衬底清洗干净并用氮气吹干,其次配置强碱和过氧化氢的混合水溶液作为抛光液,将待抛光的砷化镓衬底置于抛光液中,根据抛光液中强碱和过氧化氢的浓度,通过控制抛光时间来控制抛光厚度。本发明操作简单,易实现,安全可靠,无刺激性气味,抛光速率高,只需借助强碱、过氧化氢、去离子水即可实现对减薄后的砷化镓衬底进行表面抛光以去除残留的难以刷洗的砷化镓颗粒,防止影响后续电极蒸镀效果,提高界面结合性能,从而防止芯片掉电极,提高产品良率。
一种砷化镓超薄衬底及应用.pdf
本发明公开了一种砷化镓超薄衬底及应用,所述砷化镓超薄衬底的形状为正六边形,所述砷化镓超薄衬底的内部包括至少两个边长依次减小的多孔正六边形,呈窝蜂状。其加工方法为材料提纯、多晶料制备、晶体生长、切片、磨边、研磨、腐蚀、粗抛和精抛、清洗、光刻腐蚀,该超薄砷化镓衬底应用于热核电池,可有效增强热核电池对放射源辐射能量的吸收效果,提高转换效率,电池输出的电压和电流可达到0‑4V、0.8‑2A。
一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法.pdf
本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法,其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF,使应变在两个界面处得到释放,解决了GaAs与Si之间晶格失配。所述Si衬底为向[110]晶向斜切5°。制备方法特征在于首先在Si衬底上生长AlSb/SiIMF阵列,然后生长GaSb缓冲层,然后在GaSb缓冲层上生长GaAs/GaSbIFM阵列,从而完成从Si衬底向GaAs材料层的过渡,获得Si基GaAs复合衬底。本发明解决了Si
一种砷化镓多晶合成及单晶衬底拋光方法.pdf
本发明公开了一种砷化镓多晶合成及单晶衬底拋光方法,涉及拋光方法领域。该砷化镓多晶合成及单晶衬底拋光方法,包括炉体,所述炉体的内部设置有氮化硼坩埚,所述炉体的上端转动连接有密封保温盖,所述氮化硼坩埚的下端设置有加热器,所述炉体的左侧设置有真空泵,所述炉体的右侧设置有输气泵本发明在无液封砷化镓多晶合成基础上,又经过了垂直布里奇曼法定向结晶,合成的圆柱形GaAs多晶不存在镓团和砷团。采用本发明的方法合成的GaAs多晶化学计量比达到了水平布里奇曼法的水平,由于没有使用石英安培瓶,避免了Si杂质的沾污,因此合成的G
一种砷化镓废料回收制备砷化镓多晶的方法.pdf
本发明涉及一种砷化镓废料回收制备砷化镓多晶的方法,包括以下步骤:对砷化镓废料进行打磨、浸泡、清洗,然后将砷化镓废料放入第一PBN坩埚中,将第一PBN坩埚放入阶梯型石英管的上部,将装有砷的第二PBN坩埚放入阶梯型石英管的下部;将阶梯型石英管抽真空,然后密封焊接,将焊接后的阶梯型石英管放入VGF单晶炉中,加热化料,再用VGF法合成砷化镓多晶。本发明制备得到的砷化镓多晶为圆柱形,直径为50~106mm,长度为300~400mm;本发明的制备方法能有效排杂,提高纯度;同时使用阶梯形石英管,既可支撑砷化镓废料,也可