形成晶片结构的方法、形成半导体器件的方法和晶片结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106409669A(43)申请公布日2017.02.15(21)申请号201610824797.6(22)申请日2016.07.29(30)优先权数据102015112648.62015.07.31DE(71)申请人英飞凌科技股份有限公司地址德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号(72)发明人W·莱纳特R·鲁普F·J·桑托斯罗德里格斯(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人申屠伟进杜荔南(51)Int.Cl.H01L21/30(2006.01)H01L21/304(2006.01)H01L23/13(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图6页(54)发明名称形成晶片结构的方法、形成半导体器件的方法和晶片结构(57)摘要本发明涉及形成晶片结构的方法、形成半导体器件的方法和晶片结构。提供一种生产半导体器件和晶片结构的方法。该方法包括：将包括碳化硅的施主晶片(10)附着到包括石墨的载体晶片(20)；沿着内部剥离层(13)分离施主晶片(10)，使得形成包括碳化硅且附着到载体晶片(20)的分离层(1)；在分离层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)，同时留下附着到分离层(1)的载体晶片(20)的剩余部分(20’)以形成被部分支撑的晶片(100，200)；以及进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)。CN106409669ACN106409669A权利要求书1/3页1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：-将包括碳化硅的施主晶片(10)附着到包括石墨的载体晶片(20)；-沿着内部剥离层(13)分离施主晶片(10)，使得形成包括碳化硅并且附着到载体晶片(20)的分离层(1)；-形成被部分支撑的晶片(100，200)，包括在分离层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)，同时留下附着到分离层(1)的载体晶片(20)的剩余部分(20’)；以及-进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)。2.权利要求1的方法，其中附着施主晶片包括以下中的至少一个：-在施主晶片的键合表面(101，102)上沉积陶瓷成型聚合物前体；-在载体晶片(20)上沉积陶瓷成型聚合物前体；-形成包括载体晶片(20)、施主晶片(10)和键合层(42)的堆叠(50)，键合层(42)包括陶瓷成型聚合物前体，并且布置在载体晶片(20)和施主晶片(10)的键合表面(101，102)之间；以及-在200℃到700℃之间的温度下回火堆叠(50)。3.权利要求2的方法，其中陶瓷成型聚合物前体包括聚碳硅烷。4.权利要求2或3的方法，其中回火发生在包括氮、氩和/或氢的气氛中。5.前述任一权利要求的方法，在至少部分移除载体晶片(20)之前还包括以下中的至少一个：-在分离层(1)上沉积另外的碳化硅层(2)；-注入掺杂剂到分离层(1)中和/或到另外的碳化硅层(2)中；以及-热退火。6.前述任一权利要求的方法，其中支撑结构(20，25)被形成为覆盖分离层(1)的外围区域的环。7.前述任一权利要求的方法，其中移除载体晶片(20)包括以下中的至少一个：-铣削载体晶片(20)的内部部分；-研磨载体晶片(20)的内部部分；-载体晶片(20)的掩模刻蚀；-暴露分离层(1)的内部部分；-在载体晶片的剩余部(20’)上形成碳化硅层(25)包括沉积硅以及热力过程；以及-从分离层(1)移除沉积的硅。8.前述任一权利要求的方法，还包括注入高能量粒子到施主晶片(10)中以在附着施主晶片(10)前形成剥离层(13)。9.前述任一权利要求的方法，其中进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)包括以下中的至少一个：-处理分离层(1)；-在分离层(1)中形成pn结；-在分离层(1)上沉积碳化硅层(2，2’)；-在分离层(1)上形成金属化；-在碳化硅层(2，2’)中形成另外的pn结；2CN106409669A权利要求书2/3页-在碳化硅层(2，2’)上形成另外的金属化；以及-将被部分支撑的晶片(100，200)分离为个体半导体器件。10.一种用于形成晶片结构(100，200)的方法，包括：-提供具有第一侧(101，102)的碳化硅晶片(10)；-从第一侧注入高能量粒子到碳化硅晶片(10)中；-键合碳化硅晶片(10)的第一侧到包括石墨的载体晶片(20)；从碳化硅晶片(10)分离第一层(1)；以及以下中的一个：-在第一层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)以在第一层(1)处形成仅部分覆盖第一层(1)的支撑结构(20’，25)；和-在分离层(1)上沉积碳化硅层(2，2’)并且形成在碳化硅层(2，2’)处且仅部分覆盖碳化硅层(2，2’)的支撑结构(40)后移除载体晶片(20)。11.权利要求10的方法，其中键合第一侧包括以下