薄膜晶体管及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106783953A(43)申请公布日2017.05.31(21)申请号201611215265.9(22)申请日2016.12.26(71)申请人武汉华星光电技术有限公司地址430070湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋(72)发明人陈哲(74)专利代理机构深圳市德力知识产权代理事务所44265代理人林才桂闻盼盼(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L29/786(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图7页(54)发明名称薄膜晶体管及其制作方法(57)摘要本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法。本发明的薄膜晶体管的制作方法，通过在有源层的上方形成第一光阻层，采用所述有源层的光罩对该第一光阻层进行图案化处理后，得到第一光阻图案，该第一光阻图案能够在后续源、漏极的蚀刻制程中保护有源层不受到酸蚀刻液的腐蚀，起到蚀刻阻挡层的作用，并且所述第一光阻图案的大部分可以在源、漏极的光刻制程中被剥离掉，从而在制得的薄膜晶体管中的残留量极小，不会对薄膜晶体管的性能造成影响。本发明的薄膜晶体管，制程简单，生产成本低，且有源层的表面平整，薄膜晶体管的性能优异。CN106783953ACN106783953A权利要求书1/2页1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成第一金属层(11)，采用第一光罩(12)对所述第一金属层(11)进行图形化处理，得到栅极(20)，在所述栅极(20)与衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(30)；步骤2、在所述栅极绝缘层(30)上形成一半导体层(31)，采用第二光罩(32)对所述半导体层(31)进行图形化处理，形成对应于所述栅极(20)上方的有源层(40)；在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上形成第一光阻层(45)，采用第二光罩(32)对所述第一光阻层(45)进行曝光，在曝光过程中通过调整曝光机台与所述第一光阻层(45)之间的距离和曝光能量，使得所述第一光阻层(45)上对应于所述有源层(40)两端的区域受到强曝光；对所述第一光阻层(45)进行显影，所述第一光阻层(45)上对应于所述有源层(40)以外的区域以及对应于所述有源层(40)两端的强曝光区域被剥离掉，得到第一光阻图案(50)；所述第一光阻图案(50)的尺寸小于所述有源层(40)的尺寸，所述有源层(40)两端没有被所述第一光阻图案(50)遮盖的区域分别形成源极接触区(41)与漏极接触区(42)；步骤3、在所述第一光阻图案(50)、有源层(40)及栅极绝缘层(30)上形成第二金属层(60)，在所述第二金属层(60)上形成第二光阻层(70)；采用第三光罩(75)对所述第二光阻层(70)进行曝光、显影，形成间隔设置的第二光阻图案(71)与第三光阻图案(72)；以所述第二光阻图案(71)与第三光阻图案(72)为掩膜，对所述第二金属层(60)进行蚀刻，得到源极(61)与漏极(62)，所述源极(61)和漏极(62)分别与所述源极接触区(41)和漏极接触区(42)相接触，并且分别覆盖所述第一光阻图案(50)的两端；对所述第二光阻图案(71)与第三光阻图案(72)以及所述第一光阻图案(50)上对应于所述源极(61)与漏极(62)之间的区域进行剥离，所述第一光阻图案(50)两端分别被所述源极(61)与漏极(62)覆盖的区域保留下来，形成第一光阻段(51)与第二光阻段(52)。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述有源层(40)的材料为氧化物半导体。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：步骤4、在所述源极(61)、漏极(62)、有源层(40)及栅极绝缘层(30)上形成钝化层(81)，在所述钝化层(81)上形成平坦层(82)。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(30)与钝化层(81)的材料分别包括氧化硅与氮化硅中的一种或多种；所述平坦层(82)的材料为有机光阻。6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)与衬底基板(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应于所述栅极(20)上方的有源层(40)、设于所述有源层(40)上且分别对应于所述有源层(40)两侧的第一光阻段(51)与第二光阻段(52)、设于所述栅极绝缘层(30)、有源层(40)及第一光阻段(51)上的源极(61)、以及设于所述栅极