薄膜晶体管基板及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110223989A(43)申请公布日2019.09.10(21)申请号201910449049.8H01L29/43(2006.01)(22)申请日2019.05.28G02F1/13(2006.01)G02F1/1362(2006.01)(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人章仟益(74)专利代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300代理人黄威(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)H01L29/40(2006.01)H01L29/417(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称薄膜晶体管基板及其制作方法(57)摘要本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制作方法，包括：基板；栅极层，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极层上；金属氧化物层，形成于所述栅极绝缘层上；以及源漏极，分别形成于所述金属氧化物层两端，所述源漏极分別具有层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上。避免源漏极刻蚀时金属氧化物沟道受到酸腐蚀增加半导体缺陷，有效防止铜在高温等条件向下扩散至金属氧化物沟道内。无需额外添加阻挡层材料，降低了生产成本的同时，减少阻挡层材料残留导致短路等风险。CN110223989ACN110223989A权利要求书1/2页1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：基板；栅极层，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极层上；金属氧化物层，形成于所述栅极绝缘层上；以及源漏极，分别形成于所述金属氧化物层两端，所述源漏极分別具有层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述栅极层为层叠结构，其材质为铜和钼。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层和所述基板的表面；以及所述金属氧化物层的材质为氧化铟镓锌。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一金属层的材质为铜；以及所述第二金属层的材质为铟锡氧化物。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还包括：钝化层，形成于所述源漏极上，所述钝化层覆盖所述栅极绝缘层、所述源漏极和所述金属氧化物层的表面。6.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供一基板；S2、形成栅极层于所述基板上；S3、形成栅极绝缘层于所述栅极层上；S4、形成金属氧化物层于所述栅极绝缘层上；S5、形成光阻层于所述金属氧化物层上；S6、对所述光阻层进行修饰灰化，以使所述金属氧化物层上预计形成源漏极的区域形成缺口；S7、形成金属层于所述光阻层及所述缺口上，所述金属层采用层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上；S8、剥离覆盖在所述光阻层上的所述金属层，并剥离所述光阻层，剩余的覆盖在所述缺口上的所述金属层作为所述源漏极。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述S2步骤包括：所述栅极层通过溅射成膜制成；所述栅极层为层叠结构，其材质为铜和钼；以及对所述栅极层进行黄光工艺，之后通过湿法刻蚀形成栅极图案。8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层通过化学气相沉积制成，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层和所述基板的表面；所述金属氧化物层通过溅射成膜制成；以及所述金属氧化物层的材质为氧化铟镓锌。2CN110223989A权利要求书2/2页9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层的材质为铜；以及所述第二金属层的材质为铟锡氧化物。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S8后还包括如下步骤：S9、形成钝化层于所述源漏极上；所述钝化层覆盖所述栅极绝缘层、所述源漏极和所述金属氧化物层的表面。3CN110223989A说明书1/6页薄膜晶体管基板及其制作方法技术领域[0001]本发明涉及显示面板领域，特别涉及一种薄膜晶体管基板及其制作方法。背景技术[0002]液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)是目前市场上应用最为广泛的显示产品，其本身具有高亮度、长寿命、广视角、大尺寸显示等优点，并且液晶显示器相关的生产工艺技术十分成熟，产品良率高，生产成本相对较低，市场接受度高。[0003]薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)基板是液晶显示器能够实现显示效果的重要一环。在形成