纳米薄膜及其制作方法、薄膜晶体管及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108400084A(43)申请公布日2018.08.14(21)申请号201810188979.8(22)申请日2018.03.07(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人孟虎(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262代理人胡艳华李丹(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L29/165(2006.01)H01L21/336(2006.01)H01L29/786(2006.01)B82Y30/00(2011.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称纳米薄膜及其制作方法、薄膜晶体管及其制作方法(57)摘要本发明实施例公开了一种纳米薄膜及其制作方法、薄膜晶体管及其制作方法，其中，纳米薄膜的制作方法包括：将至少两种包含不同纳米材料的溶液混合，形成混合溶液；将混合溶液在衬底基板上制作成初始薄膜；在初始薄膜上形成多个区域，每个区域保留一种纳米材料，以形成纳米薄膜；其中，相邻区域的纳米材料不同。本发明实施例通过将不同纳米材料的溶液混合，对混合溶液进行处理，获得了相邻区域包括不同纳米材料的纳米薄膜，简化了纳米薄膜的制作方法，且材料比例可控，薄膜均匀性较佳。CN108400084ACN108400084A权利要求书1/2页1.一种纳米薄膜的制作方法，其特征在于，包括：将至少两种包含不同纳米材料的溶液混合，形成混合溶液；将所述混合溶液在衬底基板上制作成初始薄膜；在所述初始薄膜上形成多个区域，每个区域保留一种纳米材料，以形成纳米薄膜；其中，相邻区域的纳米材料不同。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米材料为半导体材料，相邻区域的所述半导体材料相接触，构成异质结。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体材料包括：碳纳米管、纳米线、量子点或者二维半导体材料。4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述将至少两种包含不同纳米材料的溶液混合，形成混合溶液之后，所述方法还包括：将所述混合溶液搅拌均匀，使所述混合溶液中的纳米材料均匀分散。5.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述将所述混合溶液在衬底基板上制作成初始薄膜包括：将所述混合溶液设置在所述衬底基板上；将所述混合溶液中的溶剂挥发，以制作成初始薄膜。6.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述将所述混合溶液设置在所述衬底基板上包括：通过打印工艺或者旋涂工艺将所述混合溶液设置在所述衬底基板上。7.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，在所述初始薄膜上形成多个区域，每个区域保留一种纳米材料包括：依次利用不同的掩膜版对所述初始薄膜进行刻蚀，使得每个区域保留一种纳米材料。8.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述将至少两种包含不同纳米材料的溶液混合之前，所述方法还包括：形成至少两种包含不同纳米材料的溶液；其中，至少两种包含不同纳米材料的溶液中的溶剂互溶。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，若半导体材料为碳纳米管，则形成包含所述碳纳米管的溶液包括：将碳纳米管通过聚合物包覆、超声、离心和过滤处理，获得纯度大于99％的半导体性碳纳米管溶液，其中，溶剂为甲苯，浓度为0.02mg/mL；若半导体材料为硅纳米线，则形成包括硅纳米线的溶液包括：采用化学气相沉积方法制备出金纳米粒子催化生成的硅纳米线，并对催化生长后的硅纳米线进行溶解，获得半导体性硅纳米线溶液，其中，溶剂为乙醇，溶度为0.1mg/mL。10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，混合溶液中包括：硅纳米线和碳纳米管；则所述依次利用不同的掩模板对所述初始薄膜进行刻蚀，使得每个区域保留一种纳米材料包括：利用第一掩模板，采用氧等离子体刻蚀工艺对所述初始薄膜进行刻蚀，使得第一区域保留硅纳米线；利用第二掩模板，采用六氟化硫干法刻蚀工艺对刻蚀后的初始薄膜进行刻蚀，使得第二区域保留碳纳米管；2CN108400084A权利要求书2/2页其中，所述初始薄膜包括：相邻的第一区域和第二区域。11.一种纳米薄膜，其特征在于，采用权利要求1-10任一所述的纳米薄膜的制作方法制成。12.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板和设置在所述衬底基板上的有源层；所述有源层包括多个区域，每个区域由一种纳米材料构成；其中，所述纳米材料为半导体材料，相邻区域的半导体材料不同，且相邻区域的纳米半导体材料相接触，构成异质结。13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体材料包括：碳纳米管、纳米线、量子点或者二维半导体材料。14.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在衬底基板上采用权利要求1-1