一种低温多晶硅基板的制作方法和低温多晶硅基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106847745A(43)申请公布日2017.06.13(21)申请号201710123071.4(22)申请日2017.03.03(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人张慧娟李良坚(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319代理人苏培华(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L21/02(2006.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图3页(54)发明名称一种低温多晶硅基板的制作方法和低温多晶硅基板(57)摘要本发明实施例提供了一种低温多晶硅基板的制作方法和低温多晶硅基板，涉及显示技术领域。本发明实施例在基板上形成缓冲层和多晶硅层，在所述多晶硅层上依次形成栅绝缘层、栅电极层，对所述多晶硅层进行离子掺杂，在所述离子掺杂后的基板上形成层间绝缘层，对所述栅绝缘层和层间绝缘层进行过孔刻蚀，通过氟化氢清洗所述过孔刻蚀后的基板，在溅射设备中通以氢气，去除所述清洗后残留的氟离子，在所述层间绝缘层与刻蚀孔上形成源漏电极层，基于所述形成源漏电极层的基板得到低温多晶硅基板。在不增加新的工艺步骤的情况下，通以氢气清除刻蚀孔中与基板表面残留的氟离子，防止低温多晶硅基板阈值电压的漂移，改善低温多晶硅基板的性能。CN106847745ACN106847745A权利要求书1/1页1.一种低温多晶硅基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成缓冲层和多晶硅层；在所述多晶硅层上依次形成栅绝缘层、栅电极层；对所述多晶硅层进行离子掺杂；在所述离子掺杂后的基板上形成层间绝缘层；对所述栅绝缘层和层间绝缘层进行过孔刻蚀；通过氟化氢清洗所述过孔刻蚀后的基板；在溅射设备中通以氢气，去除所述清洗后残留的氟离子；在所述层间绝缘层与刻蚀孔上形成源漏电极层，基于所述形成源漏电极层的基板得到低温多晶硅基板。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在溅射设备中通以氢气，去除所述清洗后残留的氟离子的步骤，包括：在溅射设备中通以氢气形成H2plasma，以所述H2plasma去除所述清洗后残留的氟离子；通过与所述溅射设备相连的泵抽出所述溅射设备中的气体。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氢气的流量为500至1000标准立方厘米/分钟，所述溅射设备内氢气的压力为0.2至0.4pa，所述溅射设备的功率为300至600W。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上形成缓冲层和多晶硅层的步骤，包括：在基板上形成缓冲层和非晶硅层；对所述形成缓冲层和非晶硅层的基板进行去氢处理；对所述去氢处理后的基板进行激光扫描，将所述非晶硅层转化为多晶硅层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述缓冲层包括氮化硅层，或氧化硅层，或氮化硅层与氧化硅层的复合层。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为400至7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板包括玻璃基板或PI基板。8.一种低温多晶硅基板，其特征在于，采用如权利要求1至7中任一所述的低温多晶硅基板的制作方法制成。2CN106847745A说明书1/8页一种低温多晶硅基板的制作方法和低温多晶硅基板技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种低温多晶硅基板的制作方法和低温多晶硅基板。背景技术[0002]随着显示技术的不断发展，LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)由于其原子规则排列，载流子迁移率高，可以加快液晶的反应时间、缩小TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的体积，因此，广泛应用于图像传感器、薄膜晶体管等微电子技术中。[0003]目前，在低温多晶硅基板的制作过程中，在过孔刻蚀后裸露的多晶硅在空气中极易被氧化成二氧化硅，影响SD(SourceDrain，源漏电极)金属与多晶硅之间的接触，通过HF(Hydrofluoricacid，氟化氢)清洗二氧化硅，但在HF清洗后极易在刻蚀孔中与基板表面残留氟离子。[0004]在发明人应用在先技术时，发现在先技术对于刻蚀孔中与基板表面残留氟离子，残留的可移动氟离子会造成低温多晶硅基板阈值电压的漂移，进而引起特性的漂移及恶化，导致低温多晶硅基板的性能不佳。发明内容[0005]鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种低温多晶硅基板的制作方法和低温多晶硅基板。[0006]依据本发明的一个方面，提供了一种低温多晶硅基板的制作方法，包括：[0007]在基板上形成缓冲层和多晶硅层；[0008]在所述多晶硅层上依次形成栅绝缘层、栅电极层；[0009]对所述