低温多晶硅显示面板制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109585366A(43)申请公布日2019.04.05(21)申请号201811466799.8(22)申请日2018.12.03(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人江艺(74)专利代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300代理人黄威(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称低温多晶硅显示面板制造方法(57)摘要本发明公开一种低温多晶硅显示面板制造方法，包括：真空环境提供步骤，包括提供一真空环境；基板提供步骤，包括提供一玻璃基板；下一氧化硅层形成步骤，包括形成一下一氧化硅层到所述玻璃基板上；氮化硅层形成步骤，包括形成一氮化硅层到所述下一氧化硅层上；上一氧化硅层形成步骤，包括形成一上一氧化硅层到所述氮化硅层上；非晶硅层形成步骤，包括在所述真空环境中，形成一非晶硅层到所述上一氧化硅层上；保护层形成步骤，包括形成一保护层到所述非晶硅层上；退火步骤，包括对所述非晶硅层进行准分子雷射退火以在所述非晶硅层上形成多晶硅。本发明可避免所述非晶硅层上因残留有空气中粒子或金属离子而使生成的多晶硅晶格产生缺陷的问题。CN109585366ACN109585366A权利要求书1/1页1.一种低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：真空环境提供步骤，包括提供一真空环境；基板提供步骤，包括提供一玻璃基板；下一氧化硅层形成步骤，包括形成一下一氧化硅层到所述玻璃基板上；氮化硅层形成步骤，包括形成一氮化硅层到所述下一氧化硅层上；上一氧化硅层形成步骤，包括形成一上一氧化硅层到所述氮化硅层上；非晶硅层形成步骤，包括在所述真空环境中，形成一非晶硅层到所述上一氧化硅层上；保护层形成步骤，包括形成一保护层到所述非晶硅层上；以及退火步骤，包括对所述非晶硅层进行准分子雷射退火以在所述非晶硅层上形成多晶硅。2.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于：所述保护层形成步骤是在所述真空环境中执行。3.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于：所述退火步骤是在所述真空环境中执行。4.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于：所述基板提供步骤、所述下一氧化硅层形成步骤、所述氮化硅层形成步骤、所述上一氧化硅层形成步骤、以及所述退火步骤的至少一者是在所述真空环境中执行。5.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于：所述基板提供步骤、所述下一氧化硅层形成步骤、所述氮化硅层形成步骤、以及所述上一氧化硅层形成步骤均在所述真空环境中执行。6.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于：所述真空环境为一真空室。7.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于：所述真空室连接有一真空泵，所述真空泵用于对所述真空室抽真空。8.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于：在所述非晶硅层形成步骤之后，以氢氟酸及臭氧对所述非晶硅层进行清洗，再执行所述保护层形成步骤。9.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于：所述保护层为一氧化硅。2CN109585366A说明书1/3页低温多晶硅显示面板制造方法技术领域[0001]本发明是有关于一种低温多晶硅显示面板制造方法，其可避免在对一非晶硅(a-Si)层实施准分子激光退火(Excimer-LaserAnnealing,ELA)的工艺之前，所述非晶硅层上残留有自空气中附着的粒子或是金属离子，导致所述非晶硅层所形成的多晶硅的晶格产生缺陷而降低显示面板良率的问题。背景技术[0002]低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)为新一代薄膜晶体管液晶显示器((ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)技术，所述技术与传统非晶硅显示器最大差异在于LTPS反应速度相对较快，且有高亮度、高解析度、以及低耗电量等优点。[0003]在制造低温多晶硅显示面板的工艺中，需要通过准分子激光退火(Excimer-LaserAnnealing,ELA)工艺来在非晶硅(a-Si)层上生成多晶硅(Poly-Si)，此前需要对非晶硅(AmorphousSilicon,a-Si)表面做清洁处理，以改善TFT电性。[0004]现有技术的准分子激光退火工艺是暴露在一般大气环境下而进行而无法防止气流流动导致粒子或金属离子附着在非晶硅层上，因此在所述工艺中必须采用氢氟酸加臭氧(HF+O3)对所述非晶硅层