沟槽型双层栅MOSFET的制作方法.pdf
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沟槽型双层栅MOSFET的制作方法.pdf
本发明公开了一种沟槽型双层栅MOSFET的制作方法,步骤包括:1)刻蚀沟槽,生长ONO结构的沟槽层接膜;2)生长源极多晶硅,反刻蚀至沟槽上表面;3)用光刻胶保护源极多晶硅引出端,反刻蚀密集区的源极多晶硅;4)依次去除沟槽层接膜中的部分外层氧化硅膜、光刻胶、沟槽层接膜中的剩余外层氧化硅膜;5)生长多晶硅间的氧化层;6)去除沟槽层接膜中的氮化硅膜和内层氧化硅膜;7)依次生长栅极氧化层、栅极多晶硅,并反刻蚀栅极多晶硅,完成器件的制作。本发明通过优化沟槽层接膜去除工艺和减少源极多晶硅的氧化量,改善了源极多晶硅引出
沟槽型双层栅MOSFET的制造方法.pdf
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