半导体器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107017235A(43)申请公布日2017.08.04(21)申请号201610890120.2(22)申请日2016.10.12(30)优先权数据10-2015-01430202015.10.13KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人金载熙河淳穆金钟赫朴俊洙(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人屈玉华(51)Int.Cl.H01L23/64(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图35页(54)发明名称半导体器件及其制造方法(57)摘要本发明提供一种半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括在基板的第一和第二芯片区域上分别形成包括选择元件的第一和第二下结构、在第一和第二下结构上分别形成第一和第二模层、在第一和第二模层上分别形成第一和第二支撑层、图案化第一支撑层和第一模层以形成暴露第一下结构的第一孔、在第一孔中形成第一下电极、通过选择性地图案化第一支撑层而保留第二支撑层而形成包括至少一个开口的支撑图案、以及通过开口去除第一模层。支撑图案的顶表面设置在与第二支撑层的顶表面基本上相同的水平处。CN107017235ACN107017235A权利要求书1/3页1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在基板的第一芯片区域和第二芯片区域上分别形成第一下结构和第二下结构，所述第一下结构和所述第二下结构包括选择元件；在所述第一下结构和所述第二下结构上分别形成第一模层和第二模层；在所述第一模层和所述第二模层上分别形成第一支撑层和第二支撑层；图案化所述第一支撑层和所述第一模层以形成暴露所述第一下结构的多个第一孔；在所述第一孔中分别形成第一下电极；通过选择性地图案化所述第一支撑层而留下所述第二支撑层而形成包括至少一个开口的支撑图案；以及通过所述至少一个开口去除所述第一模层，其中所述支撑图案的顶表面设置在与所述第二支撑层的顶表面基本上相同的水平处。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二芯片区域在所述基板的边缘上。3.如权利要求1所述的方法，还包括在去除所述第一模层时在所述第二模层中形成凹陷区域。4.如权利要求3所述的方法，还包括：形成介电层，所述介电层覆盖所述第一下电极的表面和所述第二支撑层的顶表面；以及在所述介电层上形成上电极。5.如权利要求4所述的方法，其中所述介电层和所述上电极顺序形成在所述凹陷区域中以填充所述凹陷区域。6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述支撑图案包括：在所述第一支撑层和所述第二支撑层上分别形成第一掩模图案和第二掩模图案，所述第二掩模图案完全覆盖所述第二支撑层的顶表面；以及采用所述第一掩模图案作为蚀刻掩模图案化所述第一支撑层，其中在图案化所述第一支撑层时所述第二支撑层由所述第二掩模图案保护。7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一模层和所述第二模层同时形成，并且其中所述第一支撑层和所述第二支撑层同时形成。8.如权利要求1所述的方法，还包括：图案化所述第二支撑层和所述第二模层以在所述第二芯片区域上形成多个第二孔；以及在所述第二孔中分别形成第二下电极，其中所述第二孔与所述第一孔同时形成，并且其中所述第二下电极与所述第一下电极同时形成。9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二孔的至少一个的底表面与所述第二下结构的顶端垂直地间隔开。10.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一下结构和所述第二下结构的每一个包括：在所述基板中形成器件隔离层以限定有源区域；形成交叉所述有源区域的栅极线；以及2CN107017235A权利要求书2/3页在所述栅极线的两侧的所述有源区域中分别形成第一掺杂区域和第二掺杂区域。11.如权利要求10所述的方法，其中形成所述第一下结构和所述第二下结构的每一个还包括：形成电连接到所述第一掺杂区域的位线，并且其中当从平面图看时所述位线交叉所述栅极线。12.如权利要求10所述的方法，其中形成所述第一下结构和所述第二下结构的每一个还包括：形成电连接到所述第二掺杂区域的埋入接触；以及在所述埋入接触上形成连接焊盘，其中所述第一孔的至少一个暴露所述连接焊盘。13.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在基板的第一芯片区域和第二芯片区域的每一个上形成晶体管；在所述第一芯片区域和所述第二芯片区域上分别形成第一模层和第二模层；在所述第一模层和所述第二模层上分别形成第一支撑层和第二支撑层；形成第一下电极，所述第一下电极穿透所述第一支撑层和所述第一模层以电连接到所述第一芯片区域的所述晶体管；以及选择性地去除所述第一模层而留下所述第二模层，其中在去除所述第一模层时在所述第二模层中形成凹陷区域。14.如权利要求13所述的方法，其中所述第二芯片区域设置在所述基板的边缘上