基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107026080A(43)申请公布日2017.08.08(21)申请号201710007284.0(22)申请日2017.01.05(30)优先权数据2016-0047192016.01.13JP2016-1831332016.09.20JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人羽田敬子清水昭贵长仓幸一立花光博(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇张会华(51)Int.Cl.H01L21/3105(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图6页(54)发明名称基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统(57)摘要本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。在工艺模块(13)中被实施了COR处理和PHT处理的晶圆(W)在冷藏部(20)的处理室(28)的内部暴露于湿度被调整成所含有的水分量是50g/m3以上的气氛。CN107026080ACN107026080A权利要求书1/1页1.一种基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法具有对基板实施使用了含有氟的气体的处理的第1步骤和将所述基板暴露于含有水分的气氛的第2步骤。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述气氛所含有的水分的量是50g/m3以上。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第2步骤中，将所述基板暴露于所述气氛预定的时间。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第2步骤中，将所述基板的温度维持在10℃～80℃。5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第2步骤中，将所述基板的温度维持在24℃～60℃。6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第2步骤中，所述基板的温度被设定成比所述气氛的温度高、且与所述气氛的温度之差处于50℃以内。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，所述气氛所含有的水分的量是88.5g/m3以上。8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第2步骤中，将所述基板暴露于所述气氛至少3分钟。9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述使用了含有氟的气体的处理是COR处理。10.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述使用了含有氟的气体的处理是使用从所述气体产生的氟等离子体的处理。11.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括：处理室，其收容已被实施了使用了含有氟的气体的处理的基板；水分含有机构，其使所述处理室内的气氛含有水分。12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，所述水分含有机构将所述气氛所含有的水分的量设定成50g/m3以上。13.一种基板处理系统，其特征在于，该基板处理系统包括：基板处理装置，其对基板实施使用了含有氟的气体的处理；后处理装置，其使已被实施了所述使用了含有氟的气体的处理的基板暴露于含有水分的气氛。14.根据权利要求13所述的基板处理系统，其特征在于，所述气氛所含有的水分的量是50g/m3以上。2CN107026080A说明书1/9页基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统技术领域[0001]本发明涉及将残留于基板的表面的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。背景技术[0002]作为对形成于作为基板的半导体晶圆(以下，简称为“晶圆”。)的氧化膜进行化学蚀刻而去除的处理，公知有例如COR(化学氧化去除：ChemicalOxideRemoval)处理和PHT处理(后热处理：PostHeatTreatment)。在COR处理中，使在晶圆的表面形成的氧化膜与氟化氢气体和氨气反应，从氧化膜生成作为反应产物的氟硅酸铵(AFS)。在PHT处理中，通过对晶圆进行加热而使所生成的AFS升华而去除。即、通过COR处理和PHT处理，氧化膜被去除。[0003]不过，有时在实施了COR处理和PHT处理之后的晶圆的表面残留氟。残留下的氟有时对形成于晶圆的表面的配线膜等进行腐蚀，使由晶圆制造的半导体器件的电特性劣化。因而，需要将在晶圆的表面残留的氟(以下称为“残留氟”。)去除。[0004]作为将残留氟去除的方法，以往，进行了对晶圆实施使用DHF(稀氢氟酸)、DIW(纯水)作为清洗液的湿清洗方法。若对晶圆实施湿清洗，则能够使在晶圆的表面残留的氟原子的数量减少到每1平方厘米1012的水平。[0005]不过，随着半导体器件的配线等的微细化，在晶圆的表面形成的图案的宽度成为几nm，因此，产生由于清洗液的表面张力而图案倒塌这样的问题。因此，