基板处理装置以及基板处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105448662A(43)申请公布日2016.03.30(21)申请号201510599007.4H01L21/67(2006.01)(22)申请日2015.09.18(30)优先权数据2014-1901002014.09.18JP(71)申请人株式会社思可林集团地址日本国京都府京都市(72)发明人藤原直澄江户彻菅原雄二阿野诚士泽岛隼(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003代理人董雅会向勇(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书2页说明书15页附图12页(54)发明名称基板处理装置以及基板处理方法(57)摘要本发明涉及抑制产生处理残留物和产生液体飞溅的基板处理装置及其方法。该装置具有基板的旋转保持部、沿着大致铅垂方向喷射处理液的液滴的喷流的第一喷嘴、喷出处理液的连续流的第二喷嘴、使第一喷嘴和第二喷嘴一体移动的喷嘴移动部。当第一喷嘴位于基板的周缘部的上方时，连续流的着落位置比液滴的喷流的着落位置更靠旋转中心侧。而且，液滴的喷流的着落位置和连续流的着落位置这两者的移动路径不同，和/或连续流和液滴的喷流这两者的流向不同。这两者的移动路径不同是因当第一喷嘴位于基板的周缘部的上方时，连续流的着落位置比液滴的喷流的着落位置的移动路径更靠旋转方向的下游侧。这两者的流向不同是因连续流相对于铅垂方向倾斜。CN105448662ACN105448662A权利要求书1/2页1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：旋转保持部，一边水平地保持基板一边使该基板旋转，第一喷嘴，将处理液与被加压的气体混合来生成所述处理液的液滴的喷流，向所述基板的上表面沿着大致铅垂方向喷射所述液滴的喷流，第二喷嘴，向所述基板的上表面喷出所述处理液的连续流，喷嘴移动部，一边保持所述第一喷嘴与所述第二喷嘴的位置关系恒定，一边使所述第一喷嘴和所述第二喷嘴在所述基板的上方一体地移动；所述喷嘴移动部以使所述液滴的喷流在所述基板上的着落位置经过所述基板的旋转中心的方式移动所述第一喷嘴，在所述位置关系中，当所述第一喷嘴位于所述基板的周缘部的上方时，所述连续流在所述基板上的着落位置位于比所述液滴的喷流的着落位置更靠所述基板的旋转中心侧的位置，所述基板的旋转轨迹上的所述液滴的喷流的着落位置和所述连续流的着落位置这两者的移动路径不同，和/或所述连续流和所述液滴的喷流这两者的流向不同，所述这两者的移动路径的不同是由于当所述第一喷嘴位于所述基板的周缘部的上方时，所述连续流的着落位置位于比所述液滴的喷流的着落位置的移动路径更靠所述基板的旋转方向的下游侧的位置，所述这两者的流向的不同是由于所述连续流的方向相对于铅垂方向以越接近所述基板则所述液滴的喷流与所述连续流之间的间隔越宽的方式倾斜。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述这两者的移动路径相互重合，并且所述这两者的流向不同。3.一种基板处理方法，其特征在于，包括：第一步骤，一边水平地保持基板一边使该基板旋转，第二步骤，混合处理液与被加压的气体来生成所述处理液的液滴的喷流，与所述第一步骤并行地沿着大致铅垂方向朝向所述基板的上表面喷射所述液滴的喷流，第三步骤，与所述第一步骤以及第二步骤并行地向所述基板的上表面喷出所述处理液的连续流，第四步骤，一边保持所述液滴的喷流与所述连续流的位置关系恒定，一边与所述第一～第三步骤并行地使所述液滴的喷流和所述连续流在所述基板上一体地移动；在所述第四步骤中，以所述液滴的喷流在所述基板上的着落位置经过所述基板的旋转中心的方式使所述液滴的喷流移动，在所述位置关系中，当所述液滴的喷流的着落位置位于所述基板的周缘部时，所述连续流在所述基板上的着落位置位于比所述液滴的喷流的着落位置更靠所述基板的旋转中心侧的位置，所述基板的旋转轨迹上的所述液滴的喷流的着落位置和所述连续流的着落位置这两者的移动路径不同，和/或所述连续流和所述液滴的喷流这两者的流向不同，所述这两者的移动路径的不同是由于当所述液滴的喷流的着落位置位于所述基板的周缘部时，所述连续流的着落位置位于比所述液滴的喷流的着落位置的移动路径更靠所述基板的旋转方向的下游侧的位置，2CN105448662A权利要求书2/2页所述这两者的流向的不同是由于所述连续流的方向相对于铅垂方向以越接近所述基板则所述液滴的喷流与所述连续流之间的间隔越宽的方式倾斜。4.如权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述这两者的移动路径相互重合，并且所述这两者的流向不同。3CN105448662A说明书1/15页基板处理装置以及基板处理方法技术领域[0001]本发明涉及一种通过一边使基板旋转一边向基板供给处理液来处理基板的基板处理技术。作为处理对象的基板包括半导体晶圆、液晶显