晶砣切割方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107030904A(43)申请公布日2017.08.11(21)申请号201710327771.5(22)申请日2017.05.11(71)申请人济源石晶光电频率技术有限公司地址454650河南省焦作市济源市科技工业区济源石晶光电频率技术有限公司(72)发明人李健董振峰赵鹏程(74)专利代理机构郑州德勤知识产权代理有限公司41128代理人宋文龙(51)Int.Cl.B28D5/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称晶砣切割方法(57)摘要本发明提供一种晶砣切割方法，其步骤包括将该晶砣粘结在基板上得到晶砣磨削载体，然后对所述晶砣磨削载体依次进行研磨和线切割处理，得到晶砣切割体；其中，线切割处理步骤中所用到的切割液为由切割砂、水基切割液原液、防锈剂和纯水组成的水基游离磨料切割液。采用本发明提供的切割方法对晶砣进行切割加工后，晶砣表面没有切割油，用自来水直接清洗即可，且自来水直接冲洗完之后晶砣表面无油渍残留、洁净度较高。因此该切割方法大大的降低了生产成本，节省了清洗晶砣的时间，提高了工作效率，改善了员工的工作环境。CN107030904ACN107030904A权利要求书1/1页1.一种晶砣切割方法，其步骤包括：（1）提供一种基板，将晶砣粘结在所述基板上并采用研磨机对所述晶砣进行研磨处理，得到晶砣磨削体；（2）采用水基游离磨料切割液对所述晶砣磨削体进行线切割处理，得到晶砣切割体；其中，所述水基游离磨料切割液由切割砂、水基切割液原液、防锈剂和纯水组成。2.根据权利要求1所述的晶砣切割方法，其特征在于，它还包括用水对所述晶砣切割体进行浸泡或喷淋处理，制得洁净晶砣切割体的步骤。3.根据权利要求1或2所述的一种晶砣切割方法，其特征在于，在所述水基游离磨料切割液中，所述切割砂、所述水基切割液原液、所述防锈剂和所述纯水的质量比为（1～3）：（0.5～3）：0.1：1.2。4.根据权利要求3所述的晶砣切割方法，其特征在于，所述水基切割液原液由质量比为1：（0.5～2）的丙三醇和二乙二醇组成。5.根据权利要求4所述的晶砣切割方法，其特征在于，所述切割砂为1000目～1200目的绿碳化硅。6.根据权利要求5所述的晶砣切割方法，其特征在于，所述防锈剂为亚硝酸钠、亚硫酸钠、十二烷基磺酸钠中的一种或几种的组合。7.根据权利要求6所述的晶砣切割方法，其特征在于，所述步骤（1）中所述基板为玻璃板，所述玻璃板的平行度小于0.01mm，所述玻璃板的平面度小于0.01mm。2CN107030904A说明书1/2页晶砣切割方法技术领域[0001]本发明涉及石英晶片加工技术领域，具体的说，涉及了一种晶砣切割方法。背景技术[0002]目前，石英晶片的加工过程是先将晶砣切割成一个个的石英晶片成品，然后再将这些石英晶片成品进行封装成半导体晶片。其中晶砣的切割过程非常重要，现有技术中一般采用两种方法对晶砣进行切割，一种是采用刀片，通过机械的方式来切割晶砣，采用这种方式成本低，但是由于晶砣中晶圆本身较薄而且脆，因此非常容易使晶圆破损，而且切割之后晶圆的切割处也会有明显的崩边并容易产生粉尘污染，另一种为激光切割，这种方法虽然没有机械切割的上述缺点，但是它成本非常昂贵，因此目前应用也不广。[0003]为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。发明内容[0004]本发明的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种成本低廉、能有效减少晶片污染的晶砣切割方法。[0005]为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种晶砣切割方法，其步骤包括：（1）提供一种基板，将晶砣粘结在所述基板上并采用研磨机对所述晶砣进行研磨处理，得到晶砣磨削体；（2）采用水基游离磨料切割液对所述晶砣磨削体进行线切割处理，得到晶砣切割体；其中，所述水基游离磨料切割液由切割砂、水基切割液原液、防锈剂和纯水组成。[0006]基于上述，所述的晶砣切割方法还包括用水对所述晶砣切割体进行浸泡或喷淋处理，制得洁净晶砣切割体的步骤。[0007]基于上述，在所述水基游离磨料切割液中，所述切割砂、所述水基切割液原液、所述防锈剂和所述纯水的质量比为（1～3）：（0.5～3）：0.1：1.2。[0008]基于上述，所述水基切割液原液由质量比为1：（0.5～2）的丙三醇和二乙二醇组成。[0009]基于上述，所述切割砂为1000目～1200目的绿碳化硅。[0010]基于上述，所述防锈剂为亚硝酸钠、亚硫酸钠、十二烷基磺酸钠中的一种或几种的组合。[0011]基于上述，所述步骤（1）中所述基板为玻璃板，所述玻璃板的平行度小于0.01mm，所述玻璃板的平面度小于0.01mm。[0012]本发明相对现有技术具有突出的实质性特点和显著的