用于引导载流子的设备和其应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107209232A(43)申请公布日2017.09.26(21)申请号201680004735.9(74)专利代理机构北京锺维联合知识产权代理(22)申请日2016.01.11有限公司11579代理人罗银燕(30)优先权数据15000040.42015.01.12DE(51)Int.Cl.G01R33/06(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日G21K1/093(2006.01)2017.06.30H01L29/06(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L29/205(2006.01)PCT/EP2016/0250002016.01.11H01L29/82(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L39/14(2006.01)WO2016/113141DE2016.07.21H01L43/00(2006.01)H02N11/00(2006.01)(71)申请人赫尔穆特·惠得利地址德国温克尔(72)发明人赫尔穆特·惠得利权利要求书2页说明书10页附图10页(54)发明名称用于引导载流子的设备和其应用(57)摘要提出一种用于引导载流子的设备和设备的应用，其中，借助于磁场沿着拱曲的或者折弯的主路径在二维电子气或者在薄的超导层中引导载流子，使得在电接口处产生不同的停留厚度。CN107209232ACN107209232A权利要求书1/2页1.一种用于引导载体(2)的设备(1)(该载体分别具有电荷和/或磁矩、尤其载流子、优选电子)带有用于在尤其至少基本上平坦的、带有拱曲的或者折弯的用于所述载体(2)的主路径(H)和带有沿着所述主路径(H)布置的电接口(4，5)的运动区域(B)中可运动引导所述载体(2)的导体装置(3)，和带有用于产生用于引导所述载体(2)至少基本上沿着所述主路径(H)的场(F)的场生成装置(10)，尤其使得可量取在所述电接口(4，5)处的电压或电功率或所述载体(2)在所述电接口(4，5)处具有不同的停留厚度，其特征在于，所述导体装置(3)具有或形成二维电子气或者薄的用于形成所述运动区域(B)的超导层(11)，并且/或者所述导体装置(3)或所述运动区域(B)或所述主路径(H)至少基本上在平面(E)中或者沿着封闭平面延伸并且在该平面(E)或平面中拱曲或折弯。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述导体装置(3)具有两个侧面重叠层或带有不同费米能级的固体(6，7)，其中，在其分界面(8)处或沿着其分界面(8)形成所述运动区域(B)或所述二维电子气。3.根据权利要求1或者2所述的设备，其特征在于，所述导体装置(3)具有或形成数个侧面叠加的运动区域(B)或电子气或超导层(11)。4.根据前述权利要求任一项所述的设备，其特征在于，用于所述载体(2)的所述运动区域(B)的侧翼(9)构造成至少部分漫射和/或仅反射。5.根据前述权利要求任一项所述的设备，其特征在于，所述运动区域(B)的平均宽度(W)和所述主路径(H)的曲率半径(R)至少基本上与在所述运动区域(B)中的所述载体(2)的平均自由行程长度相符或者较比较小。6.根据前述权利要求任一项所述的设备，其特征在于，所述导体装置(3)或所述运动区域(B)单一或者多次折弯和/或至少局部弧形或者半圆形弯曲。7.根据前述权利要求任一项所述的设备，其特征在于，所述导体装置(3)或所述运动区域(B)的曲率半径(R)为超过100nm、尤其超过200nm，和/或少于2000nm、尤其少于1600nm。8.根据前述权利要求任一项所述的设备，其特征在于，所述主路径(H)的曲率半径(R)为超过100nm、尤其超过200nm，和/或少于2000nm、尤其少于1600nm。9.根据前述权利要求任一项所述的设备，其特征在于，构造所述场生成装置(10)用于产生磁场(F)。10.根据前述权利要求任一项所述的设备，其特征在于，所述场生成装置(10)或用于引导所述载体(2)的所述磁场(F)尤其在考虑所述载体(2)平均速度的情况下这样来匹配或者可调节或可控制，使得在曲率半径为所述主路径(H)或所述运动区域(B)或所述导体装置(3)的曲率半径(R)的数量级的运动轨道上引导所述载体(2)。11.应用根据前述权利要求任一项所述的、用于产生源自所述载流子(2)的热量或热能和/或源自所述载流子(2)的电磁特性或者环境噪音的电压或者电功率设备(1)，其中，所述电压或者电功率经由所述接口(4，5)量取，其中尤其，所述场(F)保持至少基本上恒定。12.应用根据前述权利要求1至10中任一项所述的、用于通过抽走所述载流子(2)的热量或热能来冷却的设备(1)，当电功率经由所述接口(4，5)量取时，其中尤其，所述场(