一种硅块清洗烘干装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107363034A(43)申请公布日2017.11.21(21)申请号201610318663.7C30B33/00(2006.01)(22)申请日2016.05.13(71)申请人新特能源股份有限公司地址830011新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国家级高新技术产业开发区（新市区）甘泉堡高新技术产业园(72)发明人马永飞俞仕伟杨宝辉银波何永健陈国辉李锦春(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人罗建民邓伯英(51)Int.Cl.B08B3/12(2006.01)B08B3/08(2006.01)B08B11/04(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图5页(54)发明名称一种硅块清洗烘干装置(57)摘要本发明提供一种硅块清洗烘干装置，包括：清洗单元，其用于对破碎完成后的硅块表面进行清洗处理；烘干单元，其用于对清洗完成后的硅块进行烘干处理；以及，冷却单元，其用于对烘干完成后的硅块进行冷却处理。本发明所述硅块清洗烘干装置能够充分清洗硅块以去除其表面残留物和划痕。CN107363034ACN107363034A权利要求书1/1页1.一种硅块清洗烘干装置，其特征在于，包括：清洗单元，其用于对破碎完成后的硅块表面进行清洗处理；烘干单元，其用于对清洗完成后的硅块进行烘干处理；以及，冷却单元，其用于对烘干完成后的硅块进行冷却处理。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括料篮，所述硅块置于所述料篮中。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括输送单元，其用于将盛放有硅块的料篮从硅破碎系统料道传输至清洗单元入口，以及将清洗完成后的所述料篮从清洗单元出口传输至烘干单元入口，且依次经烘干单元内部、冷却单元内部后传输至包装区料道。4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述清洗单元包括三个清洗槽，分别为第一清洗槽、第三清洗槽和第四清洗槽，每个清洗槽中均设置有清洗介质和能够通过槽壁将超声波辐射至槽内清洗介质的超声波清洗器，用以通过超声波清洗硅块表面；盛放有硅块的料篮依次经过第一清洗槽、第三清洗槽和第四清洗槽的清洗后进入烘干单元。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述清洗单元还包括第二清洗槽，其内设置有弱酸溶液，用以通过弱酸溶液清洗硅块表面；盛放有硅块的料篮依次经过第一至第四清洗槽的清洗后进入烘干单元。6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述清洗单元还包括脱水槽和热风风切子单元，依次经过第一清洗槽、第三清洗槽和第四清洗槽清洗后的所述料篮进入脱水槽，所述热风风切子单元用于将压缩空气加热到预设温度后对进入脱水槽内的所述料篮进行往复式吹扫，以对所述料篮内的硅块进行初步干燥，经吹扫后的所述料篮进入烘干单元。7.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述清洗单元还包括清洗介质补充子单元和溢流管道，所述清洗介质补充子单元用于持续向第一清洗槽、第三清洗槽和第四清洗槽内补充清洗介质，而从第四清洗槽顶部溢出的清洗介质通过溢流管道溢流至第三清洗槽，从第三清洗槽顶部溢出的清洗介质通过溢流管道溢流至第一清洗槽，从第一清洗槽顶部溢出的清洗介质经废液槽暂存后通过排污泵排放至下游硅粉沉淀处理工序。8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述烘干单元包括中空的壳体和设置于壳体内的微波发生器，所述微波发生器用于向进入壳体内的硅块发射微波，以提高硅块表面的温度。9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述烘干单元还包括真空泵，其用于将所述壳体抽真空。10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述烘干单元还包括设置于壳体内的蒸汽加热器，其用于通过蒸汽对壳体内的硅块进行加热，以保持硅块表面的温度。11.根据权利要求1～10中任一项所述的装置，其特征在于，所述冷却单元具体用于采用压缩空气对烘干完成后的硅块表面进行降温处理。2CN107363034A说明书1/8页一种硅块清洗烘干装置技术领域[0001]本发明涉及硅生产技术领域，具体涉及一种硅块清洗烘干装置。背景技术[0002]多晶硅是太阳能光伏行业的基础材料。目前，多晶硅生产主要采用改良西门子法(即三氯氢硅还原法)，指的是利用气相沉积法在还原炉中通过H2来还原SiHCl3从而制备多晶硅棒，具体反应方程式为：[0003]3SiHCl3+H2→2Si+5HCl+SiCl4[0004]通过改良西门子法生产出来的多晶硅棒，经转运箱运输到产品整理工序后，先将硅棒从转运箱内取出，然后在特定的平台上，将棒状产品破碎为满足客户要求的具有一定线性尺寸的块状产品。[0005]现有技术中，破碎完成后的多晶硅块进行表面吹扫后就直接进行称重包装。[0006]但是，由于多晶硅属于高纯产品，在破碎的过程中会因工装器具以及空气、人员的接触