一种晶圆的双面抛光方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107398780A(43)申请公布日2017.11.28(21)申请号201610332985.7(22)申请日2016.05.18(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室(72)发明人崔世勳李章熙(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人余明伟(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B24B29/02(2006.01)H01L21/306(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称一种晶圆的双面抛光方法(57)摘要本发明提供一种晶圆的双面抛光方法，包括如下步骤：S1：将晶圆装载于载体盘的切口中，并置于覆盖有上抛光垫的上抛光盘与覆盖有下抛光垫的下抛光盘之间；S2：在所述晶圆与所述上抛光垫、下抛光垫之间供应抛光液，对所述晶圆正面及背面进行抛光，并在所述晶圆背面形成一聚合物薄膜；S3：在所述晶圆与所述上抛光垫、下抛光垫之间供应去离子水，去除所述晶圆、上抛光垫及下抛光垫上的抛光液。本发明的双面抛光过程中可以在晶圆背面形成聚合物薄膜，有效将晶圆背面与粗抛光步骤残留的高碱粗抛光液隔离，并将晶圆背面与后续亲水化处理采用的化学试剂隔离，从而抑制了晶圆背面的蚀刻，改善了晶圆背面的局域光散射体品质及粗糙度品质。CN107398780ACN107398780A权利要求书1/2页1.一种晶圆的双面抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将晶圆装载于载体盘的切口中，并置于覆盖有上抛光垫的上抛光盘与覆盖有下抛光垫的下抛光盘之间；S2：在所述晶圆与所述上抛光垫、下抛光垫之间供应抛光液，对所述晶圆正面及背面进行抛光，并在所述晶圆背面形成一聚合物薄膜；S3：在所述晶圆与所述上抛光垫、下抛光垫之间供应去离子水，去除所述晶圆、上抛光垫及下抛光垫上的抛光液。2.根据权利要求1所述的晶圆的双面抛光方法，其特征在于：所述步骤S2包括：S2-1：在抛光第一阶段供应粗抛光液对所述晶圆进行粗抛光，去除晶圆表面的氧化层；S2-2：在抛光第二阶段供应粗抛光液对所述晶圆进行粗抛光，去除预设量晶圆材料；S2-3：在抛光第三阶段停止供应粗抛光液，并供应精抛光液对所述晶圆进行精抛光；其中，所述精抛光液中包含聚合物，在精抛光过程中，所述聚合物结合于所述晶圆背面，构成所述聚合物薄膜。3.根据权利要求2所述的晶圆的双面抛光方法，其特征在于：所述粗抛光液中的磨料包括氧化硅、氧化铝和氧化铈中的一种或多种；所述精抛光液中的磨料包括氧化硅、氧化铝和氧化铈中的一种或多种，或者所述精抛光液为不包含磨料的抛光剂溶液。4.根据权利要求2所述的晶圆的双面抛光方法，其特征在于：于所述步骤S2-1及步骤S2-2中，所述粗抛光液均为循环粗抛光液；于所述步骤S2-3中，所述精抛光液不进入循环。5.根据权利要求4所述的晶圆的双面抛光方法，其特征在于：通过添加KOH使得循环粗抛光液的PH值维持在10.5～11范围内。6.根据权利要求2所述的晶圆的双面抛光方法，其特征在于：于所述步骤S2-1中，加载到所述晶圆上的抛光压力范围是0.01～0.20daN/cm2，抛光时长为1～5min；于所述步骤S2-2中，加载到所述晶圆上的抛光压力范围是0.01～0.20daN/cm2，抛光时长为20～40min；于所述步骤S2-3中，加载到所述晶圆上的抛光压力范围是0.01～0.05daN/cm2，抛光时长为1～5min。7.根据权利要求2所述的晶圆的双面抛光方法，其特征在于：于所述步骤S2-1、S2-2或S2-3中，所述上抛光盘的旋转速度为20～40rpm，所述下抛光盘的旋转速度为-10～-40rpm。8.根据权利要求1所述的晶圆的双面抛光方法，其特征在于：所述步骤S2包括：S2-1：在抛光第一阶段供应粗抛光液对所述晶圆进行抛光，去除晶圆表面的氧化层；S2-2：在抛光第二阶段供应粗抛光液对所述晶圆进行抛光，去除预设量晶圆材料；S2-3：在抛光第三阶段供应添加有水溶性聚合物的粗抛光液对所述晶圆进行抛光，在抛光过程中，所述聚合物结合于所述晶圆背面，构成所述聚合物薄膜。9.根据权利要求8所述的晶圆的双面抛光方法，其特征在于：于所述步骤S2-3中，所述水溶性聚合物的添加量小于1wt％，添加所述水溶性聚合物后，所述粗抛光液的黏度为5-15cps。10.根据权利要求8所述的晶圆的双面抛光方法，其特征在于：所述粗抛光液中的磨料包括氧化硅、氧化铝和氧化铈中的一种或多种。11.根据权利要求8所述的晶圆的双面抛光方法，其特征在于：于所述步骤S2-1及步骤S2-2中，所述粗抛光液均为循环粗抛光液；于所述步骤S2-3中，所述添加有水溶性聚合物的2CN107