晶圆双面化学机械研磨抛光用冷却装置及方法.pdf

本发明公开了晶圆双面化学机械研磨抛光用冷却装置及方法，包括设于研磨抛光机构上的冷却机构、调节系统和显示控制系统，冷却机构包括冷却盘体，冷却盘体的内部通过冷却通道形成冷却腔，冷却通道包括内圈圆环形的通道和外圈环状波浪形的通道。本发明结构简单，操作方便，在使用的过程中，将晶圆放入行星轮中并加入含适量磨粒的研磨液，通过操作面板设置所需工作温度，启动装置，通过显示面板即可实时监测工作温度。冷却液沿特定的冷却通道对下磨盘进行强制冷却，有效地控制了晶圆的加工温度，提高了晶圆研磨抛光的表面质量，降低了晶圆碎片概率。

2023-10-12

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晶圆研磨装置与晶圆研磨方法.pdf

一种晶圆研磨装置与晶圆研磨方法。晶圆研磨装置包括一支撑板、一修整垫以及一研磨轮。支撑板用以放置一晶圆于其上。修整垫设置邻近于支撑板。研磨轮能够在支撑板与修整垫之间移动，以研磨放置在支撑板上的晶圆或经由修整垫修整研磨轮的一研磨面。

2023-10-20

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晶圆表面的化学机械研磨方法.pdf

本发明提供了一种晶圆表面的化学机械研磨方法，包括：提供经初次化学机械研磨后的晶圆；在晶圆表面形成缓冲层；对晶圆表面进行第二化学机械研磨，去除所述缓冲层。所述缓冲层在第二化学机械研磨中，能够防止晶圆表面的残留物与研磨液接触而形成新的缺陷，还起到精确控制研磨的停止位置，以避免损坏晶圆上半导体器件的作用。

2023-11-26

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晶圆研磨装置和晶圆的制造方法.pdf

本发明提供一种不对输送中的晶圆的整周拍摄图像就能够进行该晶圆的破裂检测的晶圆研磨装置和晶圆的制造方法。本发明的晶圆研磨装置(1)包括平板(12、14)和设有能够保持晶圆(2)的通孔(21)的载置构件(20)，使保持在载置构件(20)的通孔(21)中的晶圆(2)与平板(12、14)相对移动来研磨该晶圆(2)，其中，具有用于检测在通孔(21)内残留的晶圆碎片的有无的、图像处理部件(6)和非接触检测部件(7)的至少一方。

2023-11-26

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半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备.pdf

本发明提供一种半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备，包括：1）提供一待研磨晶圆，包括多个芯片，所述芯片的表面具有第一厚度的第一台面及第二厚度的第二台面，该第一、第二台面上依次层叠有第一材料层及第二材料层，所述第一厚度大于所述第二厚度；2）采用化学机械研磨工艺对所述待研磨晶圆进行研磨处理，包括：通入第一pH值的第一研磨液对所述待研磨晶圆进行研磨，以及继续通入所述第一pH值的第一研磨液，同时通入pH值调整液，对所述待研磨晶圆继续研磨。本发明通过在特定的时机点对制程配方内的关键参数研磨液流量中增加去离子水流量，直

2023-11-19

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