一种霍山石斛的育苗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107432240A(43)申请公布日2017.12.05(21)申请号201710647002.3(22)申请日2017.08.01(71)申请人霍山县大化坪秀峰茶业精制厂地址237200安徽省六安市霍山县衡山镇绿色商城(72)发明人程凤群(74)专利代理机构合肥广源知识产权代理事务所(普通合伙)34129代理人李显锋(51)Int.Cl.A01G31/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种霍山石斛的育苗方法(57)摘要本发明主要涉及石斛种植技术领域，公开了一种霍山石斛的育苗方法，包括：种子保存、基质制备、种子播种、播后管理、炼苗；方法简单，便于操作，使霍山石斛种子的发芽率达到63.9%，移植后成活率可达到100%，明显提高霍山石斛的育苗效率，节约育苗成本21.4%；霍山石斛种子采摘后进行冷冻干燥，快速减少水分，避免种子发霉，同时低温能够保存种子活力，冻干后加入草木灰进行拌种，防治种子吸水，同时能够使草木灰中的营养成分逐渐渗入种子，避免种子保存过程中的营养消耗，保留种子本身的营养成分，提高种子发芽能力。CN107432240ACN107432240A权利要求书1/1页1.一种霍山石斛的育苗方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）种子保存：霍山石斛种子种子采摘后，冷冻干燥至含水量为8~10%，与草木灰混合均匀，密封后，置于阴凉处保存，得待种种子；（2）基质制备：将育苗基质的原料混合，置于121~125℃灭菌后，调节含水量为32~34%，接入纳豆菌，于28~30℃发酵3~4天，得育苗基质；（3）种子播种：将2/3的育苗基质平铺于育苗盘上，将剩下的育苗基质与待种种子混合均匀，均匀撒在铺好的育苗基质上，得播种苗床；（4）播后管理：播种后保持播种苗床的温度为24~26℃，环境湿度为83~85%，光照为600~700lx，播种后第3天至发芽，每天对播种苗床喷雾豆腐泔水，保持表层育苗基质的含水量为23~25%，发芽后每3天喷雾一次豆腐泔水，得初生石斛苗；（5）炼苗：待初生石斛苗长至3片真叶，对初生石斛苗进行炼苗，连续炼苗11~13天，得石斛苗。2.根据权利要求1所述霍山石斛的育苗方法，其特征在于，所述步骤（1）的草木灰，重量是霍山石斛种子重量的2~3倍。3.根据权利要求1所述霍山石斛的育苗方法，其特征在于，所述步骤（2）的育苗基质的原料，由以下重量份的原料组成：豆腐渣64~66、玉米芯32~34、甜菜渣21~23、西兰花茎17~19。4.根据权利要求1所述霍山石斛的育苗方法，其特征在于，所述步骤（2）的纳豆菌，经二次活化，重量为育苗基质的原料重量的2~4%。5.一种权利要求1~4任一项所述霍山石斛的育苗方法，得到的石斛苗。2CN107432240A说明书1/5页一种霍山石斛的育苗方法技术领域[0001]本发明主要涉及石斛种植技术领域，尤其涉及一种霍山石斛的育苗方法。背景技术[0002]霍山石斛，是名贵中药材，药用成分既丰富又均衡，能够抗衰老，提高免疫力，活血化瘀，提高心脑血管功能，治疗消化系统疾病，治疗眼科疾病，防治糖尿病，抗肿瘤；随着人们对霍山石斛的需求量越来越大，种植的霍山石斛也越来越多，因此需要较多的石斛苗，但是目前霍山石斛育苗多采用无性繁殖方法，不利于霍山石斛新品种的培育，而传统的种子繁殖方法过程复杂，而且发芽率极低，育苗一个月后发芽率不足20%，而且移栽后的成活率不能达到60%，使霍山石斛育苗的成本大大提高，因此，需要一种简单高效的霍山石斛育苗方法。发明内容[0003]为了弥补已有技术的缺陷，本发明的目的是提供一种霍山石斛的育苗方法。[0004]一种霍山石斛的育苗方法，包括以下步骤：（1）种子保存：霍山石斛种子种子采摘后，冷冻干燥至含水量为8~10%，快速减少水分，避免种子发霉，同时低温能够保存种子活力，与草木灰混合均匀，防治种子吸水，同时能够使草木灰中的营养成分逐渐渗入种子，避免种子保存过程中的营养消耗，保留种子本身的营养成分，提高种子发芽能力，密封后，置于阴凉处保存，得待种种子；（2）基质制备：将育苗基质的原料混合，置于121~125℃灭菌后，调节含水量为32~34%，接入纳豆菌，于28~30℃发酵3~4天，变废为宝，节约成本，经纳豆菌发酵，产生大量的小分子营养成分，富含多种活性酶类，利于渗入种子，提高胚芽活力，促进种子发芽，得育苗基质；（3）种子播种：将2/3的育苗基质平铺于育苗盘上，将剩下的育苗基质与待种种子混合均匀，均匀撒在铺好的育苗基质上，使种子充分吸收育苗基质中的营养成分，促进发芽，缩短种子的发芽时间，得播种苗床；（4）播后管理：播种后保持播种苗床的温度为24~26℃，环境湿度为83~85%，光照为600~700