一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107771658A(43)申请公布日2018.03.09(21)申请号201610733204.5(22)申请日2016.08.27(71)申请人杜名胜地址237000安徽省六安市金安区开发区世纪景园12幢二单元401室(72)发明人不公告发明人(51)Int.Cl.A01G31/00(2018.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法(57)摘要本发明公开了一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法，一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法依次包括以下步骤，1）配制移栽定植基质，2）将栽培土深翻20cm～30cm，曝晒2-3天，再在表面撒上石灰石；3）将配制好的腐熟后的移栽定植基质覆盖在翻晒过的土壤上；4）搭棚；5）选择无病、健壮、大小均匀的苗进行移栽，移栽前将移栽苗用清水反复洗根两到三次，再用GA3、6-BA、NAA和PP333的混合液浸根2h；6）将处理好的移栽苗种植于基质上；7）配置N∶P∶K=15∶30∶15的完全营养液并加入腐殖酸，移栽后一个月，每周喷施1～2次完全营养液。本发明具有促进移栽的石斛快速生长，解决试管苗移栽成活率低和生长缓慢的优点。CN107771658ACN107771658A权利要求书1/1页1.一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法，其特征在于：所述一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法依次包括以下步骤，1）配制移栽定植基质，选用蕨根、木糠、树皮、刨花、椰壳、木炭、鱼骨作为移栽定植基质，蕨根、木糠、树皮、刨花、椰壳、木炭、鱼骨配比为:1：4：2：3：1：2：1，将上述原料混合加入适量石灰石进行2-3个月的腐熟；2）将栽培土深翻20cm～30cm，曝晒2-3天，再在表面撒上石灰石；3）将配制好的腐熟后的移栽定植基质覆盖在翻晒过的土壤上，移栽定植基质的铺盖厚度为10-20cm；4）搭棚，大棚包括：棚架、内外双层遮阳网、塑料薄膜、苗床、浇水等设施，外遮阳网可为固定式，遮光度70%左右，内遮阳网为活动式，遮光度50%左右可人工收放遮阳网棚高3米左右，棚宽4～6米左右，棚长度根据场地条件灵活确定，长度不超过30米，棚四周要建排水沟；5）选择无病、健壮、大小均匀的苗进行移栽，移栽前将移栽苗用清水反复洗根两到三次，再用GA3、6-BA、NAA和PP333的混合液浸根2h；6）将处理好的移栽苗按每丛3--5株，株距10厘米、行距13厘米的规格种植于基质上，以移栽苗根部完全覆盖为宜；7）配置N∶P∶K=15∶30∶15的完全营养液并加入腐殖酸，移栽后一个月，每周喷施1～2次完全营养液。2.根据权利要求1所述一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法，其特征在于：移栽定植于每年3～5月进行。3.根据权利要求1所述一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法，其特征在于：移栽定植基质中的树皮可替换为椰子壳。2CN107771658A说明书1/2页一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法技术领域[0001]本发明涉及一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法。背景技术[0002]培养石斛组培苗较为麻烦，成本高，尽管对石斛试管苗移栽的苗龄、移栽时间、移栽条件有过研究，但试管苗出瓶移栽成活率仍然较低且生长缓慢。同时组培苗的移栽成活率是组培生产种苗成功与否的重要指标。发明内容[0003]本发明的目的是为了克服以上的不足，提供一种促进移栽的石斛快速生长，解决试管苗移栽成活率低和生长缓慢的提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法。[0004]本发明的目的通过以下技术方案来实现，一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法依次包括以下步骤，1）配制移栽定植基质，选用蕨根、木糠、树皮、刨花、椰壳、木炭、鱼骨作为移栽定植基质，蕨根、木糠、树皮、刨花、椰壳、木炭、鱼骨配比为:1：4：2：3：1：2：1，将上述原料混合加入适量石灰石进行2-3个月的腐熟；2）将栽培土深翻20cm～30cm，曝晒2-3天，再在表面撒上石灰石；3）将配制好的腐熟后的移栽定植基质覆盖在翻晒过的土壤上，移栽定植基质的铺盖厚度为10-20cm；4）搭棚，大棚包括：棚架、内外双层遮阳网、塑料薄膜、苗床、浇水等设施，外遮阳网可为固定式，遮光度70%左右，内遮阳网为活动式，遮光度50%左右可人工收放遮阳网棚高3米左右，棚宽4～6米左右，棚长度根据场地条件灵活确定，长度不超过30米，棚四周要建排水沟；5）选择无病、健壮、大小均匀的苗进行移栽，移栽前将移栽苗用清水反复洗根两到三次，再用GA3、6-BA、NAA和PP333的混合液浸根2h；6）将处理好的移栽苗按每丛3--5株，株距10厘米、行距13厘米的规格种植于基质上，以移栽苗根部完全覆盖为宜；7）配置N∶P∶K=15∶30∶15的完全营养液并加入腐殖酸，移