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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115976650A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211664306.8(74)专利代理机构北京市隆安律师事务所(22)申请日2018.07.0911323专利代理师徐谦刘宁军(30)优先权数据2017-1350172017.07.10JP(51)Int.Cl.C30B33/06(2006.01)(62)分案原申请数据H01L21/02(2006.01)201880046032.12018.07.09H01L29/24(2006.01)(71)申请人株式会社田村制作所H01L29/872(2006.01)地址日本东京都H01L29/78(2006.01)申请人株式会社希克斯C30B29/16(2006.01)国立研究开发法人情报通信研究机构(72)发明人仓又朗人渡边信也佐佐木公平八木邦明八田直记东胁正高小西敬太权利要求书2页说明书11页附图6页(54)发明名称半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法(57)摘要提供一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板,其特征在于,包含将包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板的接合面与包括多晶体的多晶基板的接合面接合而成的接合基板,上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基板、多晶AlN基板中的任意一基板,上述单晶Ga2O3系基板的厚度比上述多晶基板的厚度薄,通过遵循JISR1607的断裂韧性试验得到的上述多晶基板的断裂韧性值为3MPa·m1/2以上。CN115976650ACN115976650A权利要求书1/2页1.一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板的制造方法,其特征在于,包含:第1工序,准备包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板和包括多晶体的多晶基板,对各自的接合面进行平坦化处理;第2工序,在真空中,对上述单晶Ga2O3系基板的上述接合面进行改质来形成第1非晶质层,并且对上述多晶基板的上述接合面进行改质来形成第2非晶质层;第3工序,在真空中,使上述第1非晶质层与上述第2非晶质层接触;以及第4工序,通过对上述第1非晶质层与上述第2非晶质层接触的状态的上述单晶Ga2O3系基板和上述多晶基板实施热处理,使上述第1非晶质层和上述第2非晶质层再结晶来将上述单晶Ga2O3系基板与上述多晶基板接合,得到接合基板,上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基板、多晶AlN基板中的任意一基板。2.根据权利要求1所述的包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板的制造方法,上述单晶Ga2O3系基板的主面的面方位为(001),上述第4工序中上述热处理的温度为800℃以上、1100℃以下。3.根据权利要求1所述的包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板的制造方法,在上述第1工序与上述第2工序之间,还包含向离上述单晶Ga2O3系基板的上述接合面规定深度的位置注入氢离子来形成氢离子注入层的工序,上述第4工序还包含通过上述热处理将上述单晶Ga2O3系基板在上述氢离子注入层处截断的工序,在上述第4工序之后,还包含以上述氢离子注入层为剥离面来将上述单晶Ga2O3系基板分离的工序。4.一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板的制造方法,其特征在于,将通过权利要求3所述的工序分离出的、未与上述多晶基板接合的一侧的单晶Ga2O3系基板作为新的单晶Ga2O3系基板,对上述新的单晶Ga2O3系基板重复进行权利要求1所述的第1工序至第4工序。5.根据权利要求3所述的包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板的制造方法,将上述单晶Ga2O3系基板在上述Ga2O3系单晶的(001)面处分离。6.一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板的制造方法,其特征在于,将通过权利要求5所述的工序分离出的、未与上述多晶基板接合的一侧的单晶Ga2O3系基板作为以上述(001)面为接合面的新的单晶Ga2O3系基板,对上述新的单晶Ga2O3系基板重复进行权利要求1所述的第1工序至第4工序。7.一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板,其特征在于,包含将包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板的接合面与包括多晶体的多晶基板的接合面接合而成的接合基板,上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基板、多晶AlN基板中的任意一基板,上述单晶Ga2O3系基板的厚度比上述多晶基板的厚度薄,通过遵循JISR1607的断裂韧性试验得到的上述多晶基板的断裂韧性值为3MPa·m1/2以上。8.根据权利要求7所述的包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板,上述多晶基板为多晶SiC基板。2CN115976650A权利要求书2/2页9.根据权利要求7所述的包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板,