一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107516693A(43)申请公布日2017.12.26(21)申请号201710585624.8(22)申请日2017.07.18(71)申请人广东爱康太阳能科技有限公司地址528100广东省佛山市三水工业园区C区69号(72)发明人胡茂界夏利鹏秦崇德方结彬何达能陈刚(74)专利代理机构北京中济纬天专利代理有限公司11429代理人孔凡亮(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0236(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法(57)摘要本发明公开一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，包括步骤；1)用RIE刻蚀在电池抛光片表面形成一层损伤层；2)用表面腐蚀液对步骤1)处理过的硅片进行表面腐蚀，形成微米凹坑；3)用HF-HCl混酸药液除去步骤2)的腐蚀过程中产生的杂质及金属离子；4)将步骤3)处理过的硅片经过RIE刻蚀，制备纳米级的绒面；5)用清洗液除去步骤4)的刻蚀过程中产生的残留物。抛光片经过该加工方法处理后，进行重新扩散，及后道工序，最终抛光片的转换效率基本达到正常电池片的水平，而且电池片的外观和正常电池片无异，达到了抛光片返工的目的。经过本发明的加工方法，电池抛光片由原来的报废处理，现可以作为返工片使用，合格率达到95％。CN107516693ACN107516693A权利要求书1/1页1.一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1)用RIE刻蚀在电池抛光片表面形成一层损伤层；2)用表面腐蚀液对步骤1)处理过的硅片进行表面腐蚀，形成微米凹坑；3)用HF-HCl混酸药液除去步骤2)的腐蚀过程中产生的杂质及金属离子；4)将步骤3)处理过的硅片经过RIE刻蚀，制备纳米级的绒面；5)用清洗液除去步骤4)的刻蚀过程中产生的残留物。2.如权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述的晶硅太阳能电池为多晶硅太阳能电池。3.如权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述步骤1)和步骤3)中的RIE刻蚀采用干法刻蚀机，由射频发生器将反应气体离化，离子与硅片发生作用，所述的反应气体为SF6、O2和Cl2的混合。4.如权利要求3所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述的反应气体中SF6的体积分数为20-30％，O2的体积分数为40-60％，Cl2的体积分数为10-40％，反应时间为60-200S。5.如权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述步骤2)中的表面腐蚀液由HF、HNO3和DI水配制而成，腐蚀液中HF的体积分数为10-30％，HNO3的体积分数为30-60％，DI水的体积分数为10-60％，腐蚀温度为5-10℃，腐蚀时间为70-150S。6.如权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述步骤3)中的HF-HCl混酸药液由HF、HCl和DI水配制而成，混酸药液中HF的体积分数为10-30％，HCl的体积分数为15-40％，DI水的体积分数为30-75％，反应时间为50-120S。7.如权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述步骤5)中的清洗液由BOE、H2O2和DI水配制而成，所述BOE成分包括NH4F、HF，清洗液中BOE的体积分数为5-20％，H2O2的体积分数为15-40％，DI水的体积分数为40-75％，清洗温度为30-50℃，清洗时间为100-200S。8.如权利要求7所述的一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，所述BOE中NH4F与HF的体积比为6:1。2CN107516693A说明书1/6页一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法。背景技术[0002]目前，晶硅太阳能电池对成本要求较高，生产过程中由于设备不稳定、人为操作失误等原因导致清洗设备异常停机，硅片机台停留过程中，药液不断对硅片进行腐蚀，会导致硅片表面抛光。[0003]通常对问题硅片进行返工。现有的晶硅太阳能电池(多晶硅)的返工方法是采用HF/HNO3/H2O混酸体系二次制绒，去除表面扩散层，获得理想的绒面；此混酸系统反应起始于损伤层，绒面结构完全取决于硅片表面形貌。[0004]多晶清洗制绒的原理及作用：[0005]1)去除硅片表面的杂质损伤层：损伤层是在硅片切割过程中形成的表面(10微米左右)晶格畸变，具有较高的表面复合。[0006]2)形成陷光绒面结构：光线照射在硅片表面通过多次折射，达到减少反射率的目的。[0007]反应式[0008