一种LED外延结构及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107546302A(43)申请公布日2018.01.05(21)申请号201710720209.9(22)申请日2017.08.21(71)申请人厦门乾照光电股份有限公司地址361100福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号(72)发明人王爱民程伟尧刚崔晓慧黄金堆(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人李婷婷王宝筠(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/12(2010.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称一种LED外延结构及其制作方法(57)摘要本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。CN107546302ACN107546302A权利要求书1/1页1.一种LED外延结构的制作方法，其特征在于，包括：提供图形化衬底，所述图形化衬底包括平面区域和相对于所述平面区域凸起的凸起结构；在所述图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，所述缓冲层与所述凸起结构之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述在所述图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，具体包括：在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上生长一层绝缘材料层；在所述绝缘材料层表面涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第一掩膜；以所述第一掩膜为掩膜板，对所述绝缘材料层进行刻蚀，去掉所述凸起结构上的绝缘材料层，并保留所述图形化衬底平面区域的绝缘材料层，形成缓冲层。3.根据权利要求2所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上生长一层绝缘材料层，具体为：采用磁控溅射工艺在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上生长所述绝缘材料层。4.根据权利要求1所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述在所述图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，具体包括：在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第二掩膜；以所述第二掩膜为掩膜板，在所述图形化衬底的平面区域形成缓冲层。5.根据权利要求4所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述以所述第二掩膜为掩膜板，在所述图形化衬底的平面区域形成缓冲层，具体为：以所述第二掩膜为掩膜板，采用磁控溅射工艺在所述图形化衬底的平面区域形成缓冲层。6.根据权利要求1-5任意一项所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，还包括：在所述缓冲层和所述凸起结构上依次外延生长第一型导电层、有源区结构、第二型导电层和欧姆接触层。7.根据权利要求6所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述提供图形化衬底，具体包括：提供蓝宝石衬底；干法蚀刻或湿法蚀刻在所述蓝宝石衬底表面进行蚀刻，形成图形化蓝宝石衬底。8.一种LED外延结构，其特征在于，采用权利要求1-7任意一项所述的LED外延结构的制作方法形成，所述LED外延结构包括：图形化衬底，所述图形化衬底包括平面区域和相对于所述平面区域凸起的凸起结构；位于所述平面区域的缓冲层；其中，所述缓冲层与所述凸起结构之间具有间隙。9.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述缓冲层为氮化铝层。10.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述图形化衬底为图形化蓝宝石衬底。2CN107546302A说明书1/6页一种LED外延结构及其制作方法技术领域[0001]本发明属于光电子技术领域，尤其涉及一种LED(Light-EmittingDiode，发光二极管)外延结构及其制作方法。背景技术[0002]LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同，可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。[0003]LED制作过程中，通常包括提供衬底，在衬底上依次外延LED外延结构。随着LED制作工艺的不断提升，在衬底上先制作一层缓冲层，能够提高LED的光电性能。[0004]但是现有技术中缓冲层的增加