TFT基板的制作方法及其结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107591360A(43)申请公布日2018.01.16(21)申请号201710901865.9(22)申请日2017.09.28(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人叶岩溪(74)专利代理机构深圳市德力知识产权代理事务所44265代理人林才桂(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称TFT基板的制作方法及其结构(57)摘要本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法在第二钝化层(PV2)上沉积覆盖黑色光阻并进行图案化处理，形成一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)之后，再沉积覆盖透明导电薄膜并进行图案化处理，形成像素电极(71)与公共电极(72)，由于一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)填充、覆盖了黑色矩阵(63)所在区域内的色阻被挖开的空间，使得像素电极(71)与公共电极(72)形成在较平坦的黑色矩阵(63)上，能够避免由于色阻边缘斜坡过陡导致的导电薄膜蚀刻残留的问题，防止像素电极(71)与公共电极(72)短路。CN107591360ACN107591360A权利要求书1/2页1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上制作出呈阵列式排布的TFT(T)，然后沉积一层覆盖所有TFT(T)的第一钝化层(PV1)；步骤S2、在所述第一钝化层(PV1)上沉积彩色色阻并进行图案化处理，形成色阻层(41)、第一色阻块(42)与第二色阻块(43)，且第一色阻块(42)的高度(h1)大于第二色阻块(43)的高度(h2)；步骤S3、在所述第一钝化层(PV1)、色阻层(41)、第一色阻块(42)与第二色阻块(43)上沉积覆盖第二钝化层(PV2)；步骤S4、在所述第二钝化层(PV2)上沉积覆盖黑色光阻并进行图案化处理，形成一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)，以及一贯穿所述黑色矩阵(63)、第二钝化层(PV2)与第一钝化层(PV1)的过孔(V)；其中，所述主光阻间隔物(61)对应位于第一色阻块(42)上方，所述次光阻间隔物(62)对应位于第二色阻块(43)上方；所述过孔(V)被TFT(T)的漏极(D)完全遮挡；步骤S5、在所述一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)及黑色矩阵(63)上沉积覆盖透明导电薄膜并进行图案化处理，形成像素电极(71)与公共电极(72)，所述像素电极(71)经由所述过孔(V)连接TFT(T)的漏极(D)。2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2使用狭缝衍射型光罩对彩色色阻进行图案化处理。3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2沉积的彩色色阻包括红色色阻(R)、绿色色阻(G)与蓝色色阻(B)。4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述透明导电薄膜的材料为氧化铟锡。5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层(PV1)与第二钝化层(PV2)的材料均为氮化硅、氧化硅或二者的组合。6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一色阻块(42)与第二色阻块(43)均呈岛状。7.一种TFT基板结构，其特征在于，包括：衬底基板(1)；设在所述衬底基板(1)上呈阵列式排布的TFT(T)；覆盖所有TFT(T)的第一钝化层(PV1)；设在所述第一钝化层(PV1)上的色阻层(41)、第一色阻块(42)与第二色阻块(43)，其中，第一色阻块(42)的高度(h1)大于第二色阻块(43)的高度(h2)；覆盖所述第一钝化层(PV1)、色阻层(41)、第一色阻块(42)与第二色阻块(43)的第二钝化层(PV2)；设在所述第二钝化层(PV2)上的一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)，其中，所述主光阻间隔物(61)对应位于第一色阻块(42)上方，所述次光阻间隔物(62)对应位于第二色阻块(43)上方；以及设在所述黑色矩阵(63)上的像素电极(71)与公共电极(72)，所述像素电极(71)经由贯穿所述黑色矩阵(63)、第二钝化层(PV2)与第一钝化层(PV1)的过孔(V)连接TFT(T)的2CN107591360A权利要求书2/2页漏极(D)；所述过孔(V)被TFT(T)的漏极(D)完全遮挡。8.如权利要求7所述的TFT基板结构，其特征在于，所述色阻层(41)包括