一种晶圆清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107611010A(43)申请公布日2018.01.19(21)申请号201710775167.9(22)申请日2017.08.31(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430074湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室(72)发明人刘开源(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人党丽王宝筠(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L27/115(2017.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种晶圆清洗方法(57)摘要本发明提供一种晶圆清洗方法，应用于3DNAND器件制造工艺中，在衬底上形成堆叠层，并在堆叠层中刻蚀出沟道孔之后，在沟道孔形成存储层之前，采用清洗液进行清洗，而后，进行IPA转动干燥。在该方法中，采用IPA进行干燥，干燥过程中，由于IPA与晶圆上残留液体的表面张力的差异，IPA会将沟道孔中残留液体剥离下来，而后，通过晶圆转动以及IPA的挥发，将晶圆干燥，从而，提高深孔清洗质量，避免后续形成存储层后形成大量的颗粒缺陷，提升产品良率。CN107611010ACN107611010A权利要求书1/1页1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，在衬底上形成具有3DNAND器件的堆叠层，在所述堆叠层中形成沟道孔之后，在沟道孔形成存储层之前，进行晶圆清洗，所述晶圆清洗包括：采用清洗液进行清洗，而后，进行IPA转动干燥。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠层由氧化硅与氮化硅交替层叠形成，所述沟道孔通过干法刻蚀形成。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用清洗液进行清洗，包括：采用SC1清洗液进行第一清洗；采用去离子水进行第二清洗；采用SC2清洗液进行第三清洗；采用去离子水进行第四清洗。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一清洗的工艺包括：SC1清洗液中各组分的比例范围为NH4OH：H2O2：H2O＝1:2:50～1∶2∶100，温度范围为35～50℃，清洗的时间范围为32～62s。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三清洗的工艺包括：SC2清洗液中各组分的比例范围为HCl：H2O2：H2O＝1:1:50～1∶1∶100，温度范围为25～35℃，清洗的时间范围为65～75s。6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述沟道孔的深度大于3um。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述进行IPA转动干燥的工艺包括：所述沟道孔的宽度为100-300nm。8.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，采用清洗液进行清洗时，采用单片式机台。2CN107611010A说明书1/5页一种晶圆清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种晶圆清洗方法。背景技术[0002]在半导体制造工艺中，晶圆的清洗是最常用的工艺之一。晶圆的清洗的目的是去除附着在晶圆表面上的有机物、金属或其他颗粒等污染物，以避免污染物会对后续的工艺的不良影响。[0003]3DNAND存储器件是一种集成度更高的存储器件结构，采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器结构。在3DNAND存储器件的制造工艺中，首先，形成绝缘层和牺牲层的堆叠层，而后，需要在堆叠层中刻蚀出通孔，作为沟道孔，沟道孔用于形成存储层。在形成存储层中的氧化硅层之前，要进行清洗工艺，通常分别采用SC1(氨水/双氧水/水混合液)清洗液和SC2(氯化氢/双氧水/水混合液)清洗液进行清洗，而后，采用氮气(N2)进行干燥。然而，在进行该清洗工艺之后，在沟道孔内形成存储层之后，在存储层下容易形成大量的掩埋颗粒缺陷(Buriedparticledefect)，这种缺陷与清洗工艺不干净相关，这会影响器件的良率。发明内容[0004]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种晶圆清洗方法，提高深孔清洗质量，提升产品良率。[0005]为实现上述目的，本发明有如下技术方案：[0006]一种晶圆清洗方法，在衬底上形成具有3DNAND器件的堆叠层，在所述堆叠层中形成沟道孔之后，在沟道孔形成存储层之前，进行晶圆清洗，所述晶圆清洗包括：采用清洗液进行清洗，而后，进行IPA转动干燥。[0007]可选地，所述堆叠层由氧化硅与氮化硅交替层叠形成，所述沟道孔通过干法刻蚀形成。[0008]可选地，所述采用清洗液进行清洗，包括：[0009]采用SC1清洗液进行第一清洗；[0010]采用去离子水进行第二清洗；[0011]采用SC2清洗液进行第三清洗；[0012]采用去离子水进行第四清洗。[0013]可选地，所述第一清洗的工艺包括：[0014]SC1清洗液中各组分的比例范围为NH4