接触插塞的形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108417532A(43)申请公布日2018.08.17(21)申请号201810247071.X(22)申请日2018.03.23(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人丁同国孙洪福梁海林姜国伟(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称接触插塞的形成方法(57)摘要本发明提供了一种接触插塞的形成方法，在对形成有接触孔的基底执行清洗工艺之后，以及在向所述接触孔填充导电材料之前，增加了对所述基底执行的烘烤工艺。从而，使得接触孔中残留的清洗剂受热蒸发，实现了残留的清洗剂的去除，并使后续形成在接触孔中的接触插塞不会受到残留的清洗剂的影响。最终，保证了接触插塞的填充效果，保障了半导体器件与金属互连层的连接及电性能，提高了成品率。CN108417532ACN108417532A权利要求书1/1页1.一种接触插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底中形成有一接触孔；采用预定的清洗剂对所述基底执行清洗工艺；对所述基底执行烘烤工艺，以去除所述接触孔中残留的所述清洗剂；在所述接触孔中填充导电材料，以形成所述接触插塞。2.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，在预定的温度下填充所述导电材料，所述预定的温度大于等于所述清洗剂的蒸发温度。3.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述接触孔的宽度小于等于240nm。4.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述接触孔的深宽比大于等于2.25。5.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，利用加热灯管对所述基底执行烘烤工艺。6.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，通入预定气体以对所述基底执行烘烤工艺。7.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，利用加热器以热传导的方式对所述基底执行烘烤工艺。8.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述清洗剂包括去离子水。9.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述烘烤工艺的烘烤温度范围在350℃～450℃。10.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述烘烤工艺的烘烤时间范围在40s～80s。2CN108417532A说明书1/4页接触插塞的形成方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种接触插塞的形成方法。背景技术[0002]在半导体制造领域中，为了实现半导体器件与其上层的金属互连层的电性连接，通常需要在半导体器件与金属互连层之间的介质层中形成接触孔，并在接触孔中填充金属等导电材料以形成接触插塞(contact)。[0003]然而，随着现有技术的不断进步，半导体器件的特征尺寸进一步缩小，接触孔的尺寸也在相应的缩小。进而，在对基底执行清洗工艺以去除残留在基底上的固体颗粒时，清洗剂更容易残留在接触孔中，从而影响了后续的接触插塞的形成，导致半导体器件及集成电路的电性能异常，严重影响了成品率。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种接触插塞的形成方法以解决上述清洗基底后，清洗剂的残留影响了接触插塞的形成的问题。[0005]本发明提供了一种接触插塞的形成方法，包括：[0006]提供一基底，所述基底中形成有一接触孔；[0007]采用预定的清洗剂对所述基底执行清洗工艺；[0008]对所述基底执行烘烤工艺，以去除所述接触孔中残留的所述清洗剂；[0009]在所述接触孔中填充导电材料，以形成所述接触插塞。[0010]优选的，在预定的温度下填充所述导电材料，所述预定的温度大于等于所述清洗剂的蒸发温度。[0011]优选的，所述接触孔的宽度小于等于0.24μm。[0012]优选的，所述接触孔的深宽比大于等于2.25。[0013]优选的，利用加热灯管对所述基底执行烘烤工艺。[0014]优选的，通入预定气体以对所述基底执行烘烤工艺。[0015]优选的，利用加热器以热传导的方式对所述基底执行烘烤工艺。[0016]优选的，所述清洗剂包括去离子水。[0017]优选的，所述烘烤工艺的烘烤温度范围在350℃～450℃。[0018]优选的，所述烘烤工艺的烘烤时间范围在40s～80s。[0019]本发明所提供的一种接触插塞的形成方法，在对形成有接触孔的基底执行清洗工艺之后，以及在向所述接触孔填充导电材料之前，增加了烘烤工艺。从而，使得接触孔中残留的清洗剂受热蒸发，使后续形成在接触孔中的接触插塞不会受到所述清洗剂残留的影响。进而，保证了接