芯片清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113555274A(43)申请公布日2021.10.26(21)申请号202110827556.8(22)申请日2021.07.21(71)申请人江西圆融光电科技有限公司地址337000江西省萍乡市安源区安源工业园重庆中路1号(72)发明人杨建国康建卜浩礼杨天鹏杨东陈向东郗萌周荣(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人杨泽黄健(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书8页附图3页(54)发明名称芯片清洗方法(57)摘要本发明提供一种芯片清洗方法，包括以下步骤：对芯片进行第一烘烤处理后，再依次采用第一混合液、第二混合液、二流体进行清洗处理，将清洗处理后的芯片进行干燥后，再进行第二烘烤处理；其中第一混合液包括冷脱脂剂和水，第二混合液包括冷脱脂剂和水，第二混合液中冷脱脂剂的体积浓度低于第一混合液中冷脱脂剂的体积浓度。本发明提供的芯片清洗方法清洗效果好，具体表现在清洗后的芯粒不容易掉落损失，芯片表面没有残留液。CN113555274ACN113555274A权利要求书1/1页1.一种芯片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：对芯片进行第一烘烤处理后，再依次采用第一混合液、第二混合液、二流体进行清洗处理，将清洗处理后的芯片进行干燥后，再进行第二烘烤处理；其中，所述第一混合液包括冷脱脂剂和水，第二混合液包括冷脱脂剂和水，所述第二混合液中冷脱脂剂的体积浓度低于第一混合液中冷脱脂剂的体积浓度。2.根据权利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于，所述第一烘烤处理的条件为：烘烤温度25‑65℃，烘烤时间为300‑1800秒；和/或，所述第二烘烤处理的条件为：烘烤温度25‑65℃，烘烤时间为200‑1800秒。3.根据权利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于，所述冷脱脂剂包括LF‑106冷脱脂剂、HWJ‑109冷脱脂剂中的至少一种。4.根据权利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于，所述第一混合液中，所述冷脱脂剂和水的体积之比为1:1‑1:15；和/或，所述第二混合液中的冷脱脂剂和水的体积之比为1:5‑1:25。5.根据权利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于，还包括：采用第一混合液进行清洗处理后，先采用二流体进行清洗处理，再采用第二混合液进行清洗处理。6.根据权利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于，采用第一混合液进行清洗处理的过程包括：将芯片在第一混合液中浸泡5‑80秒后，对芯片进行刷洗处理；和/或，所述采用第二混合液进行清洗处理的过程包括：将芯片在第二混合液中浸泡5‑80秒后，对芯片进行刷洗处理。7.根据权利要求6所述的芯片清洗方法，其特征在于，采用芯片自动清洗机进行所述刷洗处理，所述芯片自动清洗机包括清洗台、以及用于所述刷洗处理的毛刷，在所述刷洗处理过程中，所述芯片置于所述清洗台上并被所述毛刷刷洗，所述清洗台的旋转速度为0‑500RPM，所述刷洗处理的时间为1‑80秒。8.根据权利要求1或5所述的芯片清洗方法，其特征在于，所述二流体包括气体和液体；和/或，采用二流体进行清洗处理的时间为1‑600秒。9.根据权利要求1或5所述的芯片清洗方法，其特征在于，采用芯片自动清洗机进行所述清洗处理，所述芯片自动清洗机包括清洗台和第一喷嘴，所述芯片置于所述清洗台上，所述喷嘴用于向所述清洗台上喷淋二流体，采用所述二流体进行清洗处理的过程中，所述清洗台的转速为10‑1500RPM，所述二流体包括气体和液体，所述液体的压力为0.1‑0.8MPa，液体的流速为0.1‑0.8L/min。10.根据权利要求1所述的芯片清洗方法，其特征在于，采用压缩气体进行所述干燥，所述压缩气体的压力为0.08‑0.9MPa，干燥时间为1‑600秒，控制所述芯片旋转速度为100‑2500RPM。2CN113555274A说明书1/8页芯片清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种芯片清洗方法。背景技术[0002]发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件，LED芯片是LED发光的核心部件，LED芯片的制作的后半程包括研磨减薄、划片、裂片、倒膜、扩膜、点测、分选等步骤，现阶段LED芯片朝向精细化、差异化的方向发展，如何提高LED芯片的性能指标一直是本领域技术人员不断追求的目标。[0003]在LED芯片的制作的后半程中极易对芯片造成污染，主要的污染物来源于以下几个方面：一是在划片裂片过程中，芯片的衬底崩裂而出现的细碎颗粒污染物；二是在倒膜、扩膜过程中蓝膜芯片上的蓝膜脱落而出现的有机污染物；三是在点测过程中，用于点测的探针氧化脱落而出现的