一种硅片单面刻蚀抛光的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108649098A(43)申请公布日2018.10.12(21)申请号201810354475.9(22)申请日2018.04.19(71)申请人常州捷佳创精密机械有限公司地址213000江苏省常州市新北区机电工业园宝塔山路9号(72)发明人左国军任金枝(74)专利代理机构深圳市康弘知识产权代理有限公司44247代理人吴敏孙洁敏(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0236(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图1页(54)发明名称一种硅片单面刻蚀抛光的方法(57)摘要本发明公开了一种硅片单面刻蚀抛光的方法，包括：步骤1、使用碱液对硅片进行碱洗；2、使用去离子水对硅片进行清洗；3、使用碱液对硅片的下表面及侧面边缘进行刻蚀抛光；4、清洗硅片去除表面污染物；5、使用酸液对硅片进行酸洗；6、清洗硅片去除残留药液；7、烘干硅片。本发明使用碱性体系实现硅片单面刻蚀抛光，安全环保、成本低且品质好。CN108649098ACN108649098A权利要求书1/2页1.一种硅片单面刻蚀抛光的方法，所述硅片的上表面覆盖有PSG层，所述硅片的下表面及侧面边缘已去除PSG层，其特征在于包括：步骤1、利用硅片花篮将硅片放入第一碱洗槽，硅片浸泡在第一碱洗槽内的碱液中碱洗，去除硅片表面的污染物并形成一层氧化层；步骤2、将硅片放入第一水槽，硅片浸泡在第一水槽内的去离子水中清洗；步骤3、将硅片放入刻蚀抛光槽，硅片浸泡在刻蚀抛光槽内的碱液中，对硅片下表面及侧面边缘进行刻蚀抛光；步骤4、将硅片放入清洗槽组中清洗；步骤5、将硅片放入酸洗槽，硅片浸泡在酸洗槽内的酸液中酸洗；步骤6、将硅片放入水洗槽中清洗；步骤7、将硅片放入烘干槽组中干燥。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一碱洗槽内的碱液使用KOH和H2O2的混合溶液、或使用NaOH和H2O2的混合溶液；KOH或NaOH浓度为0.1%~5%，H2O2浓度为0.5%~10%，碱液的温度为20℃~40℃，反应时间为30秒~90秒。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀抛光槽内的碱液使用KOH溶液和抛光添加剂、或使用NaOH溶液和抛光添加剂；KOH或NaOH浓度为0.5%~10%，碱液的温度为60℃~80℃，反应时间为60秒~240秒。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸洗槽内的酸液使用HF和HCl的混合溶液，HF浓度为1%-5%，HCl浓度为0%-10%。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中清洗槽组包括依次排列的第二水槽、第二碱洗槽、第三水槽；所述步骤4包括：步骤4.1、将硅片放入第二水槽中清洗，去除硅片表面的药液残留；步骤4.2、将硅片放入第二碱洗槽，硅片浸泡在第二碱洗槽内的碱液中碱洗，清洗硅片表面的污染物；步骤4.3、将硅片放入第三水槽中清洗，去除硅片表面的碱液残留。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中清洗槽组包括依次排列的第二水槽、第二碱洗槽、第三水槽、RCA清洗槽；所述步骤4包括：步骤4.1、将硅片放入第二水槽中清洗，去除硅片表面的药液残留；步骤4.2、将硅片放入第二碱洗槽，硅片浸泡在第二碱洗槽内的碱液中碱洗，清洗硅片表面的污染物；步骤4.3、将硅片放入第三水槽中清洗，去除硅片表面的碱液残留；步骤4.4、将硅片放入RCA清洗槽，硅片浸泡在RCA清洗槽内的清洗液中进行RCA清洗，清洗硅片表面的污染物。7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述第二碱洗槽内的碱液使用KOH和H2O2的混合溶液、或使用NaOH和H2O2的混合溶液；KOH或NaOH浓度为0.1%~5%，H2O2浓度为0.5%~10%，碱液的温度为40℃~60℃。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中清洗槽组包括依次排列的第二水槽和RCA清洗槽；所述步骤4包括：步骤4.1、将硅片放入第二水槽中清洗，去除硅片表面的药液残留；步骤4.2、将硅片放入RCA清洗槽，硅片浸泡在RCA清洗槽内的清洗液中进行RCA清洗，清洗硅片2CN108649098A权利要求书2/2页表面的污染物。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤7中烘干槽组包括依次排列的慢提拉槽和烘干槽；步骤7包括：步骤7.1、将硅片放入慢提拉槽，硅片浸泡在高纯水中，慢慢提拉硅片出水；步骤7.2、将硅片放入烘干槽中烘干。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述慢提拉槽内的高纯水温度为60℃~80℃。3CN108649098A说明书1/4页一种硅片单面刻蚀抛光的方法技术领域[0001]本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种硅片单面刻蚀抛光的方法。背景技术[0002]常规太阳能电池的生产流程一般